# 半绝缘SiC衬底加速商业化,GaN外延技术迎来关键转折
## 技术突破:外延层质量与良率提升成为焦点 据《电子工程专辑》于2026年8月21日发布的报道,国内半导体产业链在半绝缘型碳化硅(SiC)衬底上生长氮化镓(GaN)外延层实现关键突破。
## 技术突破:外延层质量与良率提升成为焦点 据《电子工程专辑》于2026年8月21日发布的报道,国内半导体产业链在半绝缘型碳化硅(SiC)衬底上生长氮化镓(GaN)外延层实现关键突破。该报道的核心信息在于,这一进展使得GaN功率器件在高压、高频场景下的应用可行性显著增强,但具体技术参数与性能提升幅度暂缺可核验数据,有待进一步确认。从产业逻辑看,GaN外延层的晶体质量和均匀性历来是制约器件良率与可靠性的瓶颈,此次突破或为后续规模化量产铺