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18158 条结果
第三代半导体 2026-09-24 17:21

# 东芝3300V SiC MOSFET模块亮相:高浪涌电流能力瞄准工业设备可靠性痛点

## 事件核心:高压SiC模块向工业场景延伸 据电子工程专辑2026年9月24日报道,东芝推出了一款具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块,目标在于提升工业设备的可靠性。

## 事件核心:高压SiC模块向工业场景延伸 据电子工程专辑2026年9月24日报道,东芝推出了一款具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块,目标在于提升工业设备的可靠性。这一产品定位值得关注:3300V属于碳化硅功率器件中的高压区间,通常面向轨道交通、电网、大型工业电机驱动等对耐压和可靠性要求严苛的场景。 本次新闻已确认的信息相对聚焦:产品类型为SiC MOSFET模块,耐压等级3300V,核心卖点是高浪涌电流能力,应

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第三代半导体 2026-09-24 17:19

# AI驱动GaN HEMT逆向设计获进展,第三代半导体研发范式或迎变革

据laoyaoba.com于2026年9月23日报道,中国科学院半导体研究所在人工智能驱动GaN HEMT器件结构逆向设计研究方面取得新进展。

据laoyaoba.com于2026年9月23日报道,中国科学院半导体研究所在人工智能驱动GaN HEMT器件结构逆向设计研究方面取得新进展。该消息表明,AI技术正在向第三代半导体核心器件的设计环节渗透,值得产业界持续关注。 ## AI+半导体设计:从正向试错到逆向求解 传统半导体器件设计通常依赖物理仿真与经验参数迭代,工程师需要基于既定结构反复调整掺杂、厚度、场板等参数以逼近目标性能,周期长、搜索空间大。逆向设计则试图从目标性能出发,

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第三代半导体 2026-09-24 17:19

# 六氟化钨需求获宽禁带半导体支撑:GaN功率器件扩产预期下的材料链观察

## 六氟化钨与宽禁带半导体的关联逻辑 IndexBox 于 2026 年 9 月 23 日发布的市场展望信息显示,六氟化钨(WF₆)市场被预计在至 2035 年的周期内受到宽禁带半导体需求增长的驱动。

## 六氟化钨与宽禁带半导体的关联逻辑 IndexBox 于 2026 年 9 月 23 日发布的市场展望信息显示,六氟化钨(WF₆)市场被预计在至 2035 年的周期内受到宽禁带半导体需求增长的驱动。这是本次新闻已确认的核心事实:市场展望周期指向 2035 年,驱动因素被归结为宽禁带半导体需求。标题和摘要中未披露具体市场规模数字、复合增长率、地区分布或企业份额,因此这些维度暂缺可核验数据。 六氟化钨在半导体制造中主要用于钨化学气相沉积

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汽车半导体 2026-09-24 17:17

# 全球首款碳化硅超级结MOSFET问世,功率半导体迎来结构创新节点

## 一次结构层面的突破,而非单纯参数迭代 据搜狐网2026年9月24日报道,全球首款碳化硅超级结MOSFET产品正式发布。

## 一次结构层面的突破,而非单纯参数迭代 据搜狐网2026年9月24日报道,全球首款碳化硅超级结MOSFET产品正式发布。这是本次新闻中已确认的核心事实。所谓“超级结”结构,此前主要应用于硅基功率器件,通过交替的P型与N型区域实现电荷补偿,从而在相同耐压下显著降低导通电阻。将该结构引入碳化硅材料体系,在器件设计与制造工艺上都属于结构性挑战,因此“全球首款”这一表述本身值得关注。 需要明确的是,本次新闻未披露该产品的具体耐压等级、导通电

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汽车半导体 2026-09-24 17:17

# 碳化硅模块拆解引关注:功率器件竞争进入“看内部”阶段

## 拆解事件本身:两款模块成为观察窗口 据《电子工程专辑》发布的信息,该媒体对两款最新的碳化硅模块进行了拆解,并抛出“什么水平”的问题。

## 拆解事件本身:两款模块成为观察窗口 据《电子工程专辑》发布的信息,该媒体对两款最新的碳化硅模块进行了拆解,并抛出“什么水平”的问题。这是本次新闻中已确认的核心事实:存在两款最新的碳化硅功率模块,被以拆解方式进行评估,发布方为《电子工程专辑》。至于模块的具体品牌、型号、封装形式、芯片面积、导通电阻等参数,标题与摘要均未提供,暂缺可核验数据,不宜臆测。 在功率半导体领域,拆解分析通常用于观察芯片结构、封装工艺、散热设计和材料选用,这类

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汽车半导体 2026-09-24 17:13

# 车规芯片订单激增背后的产业逻辑:北向资金加仓释放了什么信号

## 一则值得拆解的财经快讯 据新浪财经发布的资讯,一则关于车规芯片的市场信息引发关注。

## 一则值得拆解的财经快讯 据新浪财经发布的资讯,一则关于车规芯片的市场信息引发关注。该信息以"订单暴增543%,芯片唯一低估真龙被北向加仓30%"为核心表述,指向汽车半导体赛道中某家被市场认为估值偏低的芯片企业。需要明确的是,上述543%的订单增幅与30%的北向加仓比例,均来自该则新闻标题及摘要的表述,其具体统计口径、对应时间区间以及所涉企业的确切身份,暂缺可核验的公开披露文件加以交叉验证。 从传播形式看,这类标题带有明显的市场情绪

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汽车半导体 2026-09-24 17:13

# 比亚迪自建万座闪充站背后的芯片与产业链逻辑

## 从补能网络看垂直整合的边界延伸 比亚迪计划自建10000座闪充站的消息,将其“构建汽车全产业链能力”的意图推至台前。

## 从补能网络看垂直整合的边界延伸 比亚迪计划自建10000座闪充站的消息,将其“构建汽车全产业链能力”的意图推至台前。补能网络历来是车企与能源企业、第三方运营商的博弈地带,比亚迪选择重资产自建,意味着其垂直整合战略正从整车制造、电池、功率半导体向基础设施端延伸。 这一动作的科技产业含义在于:充电桩并非简单的电力设备,其内部涉及功率器件、控制芯片、通信模块与能量管理算法。大规模自建意味着比亚迪可能进一步内化充电桩核心元器件的采购与设计

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汽车半导体 2026-09-24 17:12

# 黑芝麻智能邓堃亮相2026世界新能源汽车大会:端侧算力或成汽车智能化新支点

## 事件确认:一场聚焦端侧算力的产业发声 根据美通社2026年9月24日发布的新闻摘要,黑芝麻智能邓堃出席了2026世界新能源汽车大会,并围绕“端侧算力重构汽车智能新范式”这一主题发表观点。

## 事件确认:一场聚焦端侧算力的产业发声 根据美通社2026年9月24日发布的新闻摘要,黑芝麻智能邓堃出席了2026世界新能源汽车大会,并围绕“端侧算力重构汽车智能新范式”这一主题发表观点。这是本次新闻中已确认的核心事实:会议名称、参会人物、公司归属与演讲主题方向。 需要明确的是,标题与摘要并未披露邓堃的具体发言内容、黑芝麻智能在大会期间是否发布新产品、是否签署合作协议,也未提供任何技术参数或量产时间表。因此,本文对该事件的产业影响分

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汽车半导体 2026-09-24 17:12

# 印度携手日美重塑汽车半导体供应链:去中国化路径与产业影响

## 事件背景:供应链重构的新动向 据日经中文网2026年9月24日报道,印度正与日本、美国合作构建半导体供应链,目标在于摆脱对中国的依赖。

## 事件背景:供应链重构的新动向 据日经中文网2026年9月24日报道,印度正与日本、美国合作构建半导体供应链,目标在于摆脱对中国的依赖。这一动向延续了近年来全球半导体产业地缘化布局的趋势,尤其在汽车半导体领域,供应链安全已被多个经济体提升至战略层级。 本次新闻确认的核心事实为:印度、日本、美国三方正在推动半导体供应链合作,方向是降低对华依赖。至于具体的投资金额、涉及企业、建厂地点、制程节点及产能规划,现有标题与摘要中均未提供,暂缺可

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汽车半导体 2026-09-24 17:10

# 倍思PicoGo Pro 45W氮化镓充电器拆解:功率芯片集成化再受关注

## 一次拆解,照见氮化镓快充的成熟度 EDN China于2026年9月23日发布了一篇拆解报告,对象是倍思PicoGo Pro 45W氮化镓小智充。

## 一次拆解,照见氮化镓快充的成熟度 EDN China于2026年9月23日发布了一篇拆解报告,对象是倍思PicoGo Pro 45W氮化镓小智充。从标题和摘要来看,这是一篇以产品拆解为核心的技术分析文章,聚焦于一款45W功率等级的氮化镓(GaN)充电器。 本次新闻已确认的信息有限:产品名称、功率等级(45W)、氮化镓技术路线,以及它来自倍思品牌、由EDN China进行拆解。至于内部使用了哪家厂商的GaN功率芯片、采用了何种拓扑结

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