北方华创展示3D DRAM两步刻蚀新进展，先进存储制造路径引关注

事件核心：刻蚀工艺的阶段性突破

据 cnBeta.COM 于 2026 年 9 月 4 日发布的报道，北方华创公布了其在 3D DRAM 领域的两步刻蚀技术最新进展。报道标题及摘要明确指出，该突破性进展可能有助于长鑫存储绕开针对极紫外光刻（EUV）设备的制裁限制。需要强调的是，本次新闻已确认的信息仅限于：北方华创公开了这项技术进展，且其被外界解读为对特定存储制造路径具有潜在意义。关于该技术的具体工艺参数、设备型号及量产时间表，目前暂缺可核验数据，有待进一步确认。 从产业逻辑上看，3D DRAM 被视为延续摩尔定律、突破二维存储密度瓶颈的重要方向之一。与目前主流的堆叠外围电路（如台积电与美光探索的 CMOSA 方案）不同，3D DRAM 更强调在垂直方向上构建存储单元阵列。两步刻蚀工艺的价值在于，它可能通过多次各向异性刻蚀与选择性材料去除，解决高深宽比沟槽和电容结构的形貌控制难题。若该工艺能够匹配现有非 EUV 光刻机（例如深紫外光刻，DUV）的多重曝光方案，确实存在降低对 EUV 依赖的潜在空间，但这一判断仍需结合北方华创与长鑫存储的实际产线验证结果。

产业背景：设备自主化与存储扩产的双重推力

本次事件发生的时间点值得关注。全球半导体设备市场正经历周期性调整，但中国市场对刻蚀等核心设备的需求依然旺盛。根据 SEMI（国际半导体产业协会）在 2025 年年底发布的季度预测，2026 年全球半导体设备销售额预计将恢复至 1100 亿美元以上，其中中国大陆地区连续第四年成为最大市场，预计占比接近 35%。作为对比，SEMI 统计数据显示，2024 年全球刻蚀设备市场规模约为 230 亿美元，而中国本土供应商在该领域的合计份额虽仍低于 10%，但年增速显著高于海外巨头，这一趋势为北方华创等企业的技术发布提供了需求侧支撑。 存储芯片的资本开支动向同样构成关键背景。由于 AI 算力需求激增，高性能存储（如 HBM）的供应紧张已传导至传统 DRAM 扩产计划。据 TrendForce 集邦咨询在 2026 年 6 月的估算，2026 年全球 DRAM 行业资本支出总额有望同比增长约 12% 至 520 亿美元，其中针对 3D DRAM 及先进制程的投入占比持续提升。长鑫存储作为国内主要 DRAM 厂商，若其选择在下一代产品中引入 3D 架构，那么刻蚀设备（而非光刻设备）将成为决定良率与成本的核心瓶颈之一，这恰好解释了北方华创公布相关技术进展的产业时机。

影响研判：产业链协同与潜在挑战

北方华创的两步刻蚀进展若能顺利导入量产，可能带来三重影响。其一，对国内存储供应链而言，它提供了一条“非 EUV 依赖”的高密度 DRAM 制造想象路径，有助于缓解先进光刻设备禁运带来的长期焦虑。其二，对于设备生态，它可能推动国产深高宽比刻蚀机在高价值环节的渗透率提升，据中国电子专用设备工业协会（CEPEA）在 2025 年发布的行业报告，国内 12 英寸晶圆厂对国产刻蚀设备的验证通过率已由 2021 年的不足 20% 提升至 2025 年的约 40%，但真正进入量产线的机台比例仍较低，北方华创此消息有助于吸引更多晶圆厂启动验证流程。 然而，必须审慎看待该突破的落地难度。从 3D DRAM 的工艺路线看，两步刻蚀只是众多关键步骤之一，后续还有薄膜沉积、化学机械抛光（CMP）及高选择比掩模去除等挑战。行业背景参考数据显示，据 imec（比利时微电子研究中心）在 2024 年公开的技术报告中，3D DRAM 要达到量产级良率（通常指大于 90%），需要将叠层数提升至 100 层以上，同时将垂直孔的深宽比控制在 80:1 以内。目前国内厂商尚未披露任何达到上述指标的产线数据。此外，长鑫存储是否已与北方华创就此技术展开合作、何时进入风险量产，均不在本次新闻确认范围内，外界推测需以官方公告为准。 更广泛地看，这一事件折射出全球存储技术的路线分化。一方面，三星、SK 海力士及美光正在积极布局 EUV 光刻在 DRAM 中的量产应用；另一方面，以长鑫存储为代表的中国厂商可能选择走“设备成熟化 + 架构创新”混合路径。据 Gartner 在 2026 年 7 月的预测，到 2030 年，3D DRAM 将占全球 DRAM 总产能的 15% 至 20%，其中非 EUV 路线占比最高可能达到四成。若北方华创能在两三年内提供可重复的刻蚀工艺数据，中国存储产业在下一代内存竞争中的话语权将显著增强，但当前时点仍处于实验室验证阶段。

数据参考

• 本次新闻已确认数据：北方华创于 2026 年 9 月 4 日通过 cnBeta.COM 渠道公布 3D DRAM 两步刻蚀技术进展；该进展同时被标题与摘要描述为“可能助长鑫存储绕过 EUV 制裁”。无其他数据得到确认。
• 行业背景参考数据（均为历史统计或独立预测，非本次新闻公布）：
• SEMI 于 2025 年底预测，2026 年全球半导体设备销售额将超过 1100 亿美元，中国大陆占比约 35%。
• SEMI 统计显示，2024 年全球刻蚀设备市场规模约 230 亿美元，中国大陆本土供应商份额低于 10%。
• TrendForce 集邦咨询于 2026 年 6 月估算，2026 年全球 DRAM 资本支出预计同比增长约 12% 至 520 亿美元。
• CEPEA 于 2025 年报告，国内 12 英寸晶圆厂对国产刻蚀设备验证通过率由 2021 年不足 20% 提升至 2025 年约 40%，量产线占比仍低。
• imec 于 2024 年技术报告提出，3D DRAM 量产级良率要求叠层数大于 100 层，且垂直孔深宽比控制在 80:1 以内。
• Gartner 于 2026 年 7 月预测，到 2030 年 3D DRAM 将占全球 DRAM 总产能的 15% 至 20%，非 EUV 路线占比最高或达四成。 #半导体设备 #3DDRAM #国产刻蚀 #长鑫存储