韩国团队揭示二维半导体器件中子辐照退化机制，或影响芯片抗辐射设计

中子辐照对二维半导体的影响获新进展

据中国核技术网2026年7月15日报道，韩国研究团队在二维半导体器件领域取得重要发现，揭示了该类器件在中子辐照下的退化机制。该研究聚焦于二维半导体材料在辐射环境中的可靠性问题，为未来航天、核能等强辐射场景下的芯片设计提供了关键参考。目前，具体的技术参数和实验细节尚未完全公开，但这一突破可能对半导体器件的抗辐射加固技术产生深远影响。

背景：二维半导体在抗辐射场景中的潜力与挑战

二维半导体材料，如二硫化钼（MoS₂）等，因其原子级薄层结构和优异的电学性能，被视为下一代高性能、低功耗芯片的候选材料。据市场研究机构IDC于2025年发布的报告预测，全球二维材料半导体市场规模将在2028年达到约12亿美元，2024至2028年年复合增长率约为18%。然而，在太空探索和核反应堆等中子辐照强度极高的环境中，器件的性能退化会直接威胁系统稳定性。韩国团队的工作首次系统性地揭示了中子辐照导致二维半导体器件中缺陷生成和载流子迁移率下降的机制，这为开发更可靠的抗辐射芯片提供了物理模型。

产业影响：从AI芯片到航天电子，抗辐射设计需求激增

该研究的产业意义值得关注。当前，AI芯片对高算力和低功耗的追求日益迫切，而二维半导体凭借其潜在的高迁移率和低功耗特性，正成为先进AI芯片的候选材料之一。然而，AI芯片在军事、航天等场景中往往需要同时满足抗辐射要求。据行业组织SEMI在2026年发布的半导体设备市场报告显示，2025年全球半导体设备市场规模已达约1175亿美元，其中抗辐射测试设备占比虽小，但增速显著。此次韩国团队的研究结果，可能促使芯片设计公司重新评估二维半导体在辐射环境下的使用寿命，特别是在卫星通信、太空AI计算等新兴领域，抗辐射可靠性将成为关键考量因素。

数据参考

• 全球二维材料半导体市场规模预测：IDC于2025年预测，2028年市场规模约达12亿美元，2024至2028年年复合增长率约18%（预测数据）。
• 全球半导体设备市场规模：SEMI于2026年报告，2025年市场规模约1175亿美元（行业背景参考数据）。
• 本次新闻已确认数据：韩国团队揭示二维半导体器件中子辐照退化机制，来源为中国核技术网2026年7月15日报道（已确认数据）。
• 暂缺可核验数据：本次新闻未公布中子辐照实验的具体能级、器件退化幅度、团队名称及机构详情，相关参数有待进一步确认。 #半导体 #二维材料 #抗辐射芯片 #半导体设备