通富微电称已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP技术，先进封装竞争升温

高密度存储封装再获进展

通富微电于9月11日就高密度存储封装话题作出回应，表示公司已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP（Package on Package，叠层封装）等技术。该消息由证券之星报道，属于公司新闻层面的一次技术能力确认。 从已确认信息看，此次回应聚焦“高密度存储封装”，涉及的两项技术分别为3D NAND多芯片堆叠与PoP。这二者均属于先进封装范畴：前者指向存储裸片在垂直方向上的堆叠集成，后者则常用于将逻辑芯片与存储芯片在封装层面进行叠层互连。通富微电此番表态，意味着其在存储封装领域的技术积累已覆盖上述方向。

先进封装为何成为焦点

在AI算力需求持续扩张的背景下，芯片性能提升越来越依赖“封装”而非单纯依赖制程微缩。HBM等高带宽存储方案本身就是先进封装的产物，而3D堆叠与PoP技术则关系到存储密度、信号路径和系统集成度。通富微电掌握相关技术，可能使其在存储封装供应链中具备更强的承接能力，但具体客户导入与量产节奏有待进一步确认。 从产业背景看，先进封装已成为半导体资本开支的重要方向。据Yole Intelligence 2023年估算，全球先进封装市场规模预计在2028年接近800亿美元，2022至2028年复合增长率约在10%左右。SEMI 2024年报告亦指出，全球封装与测试设备支出在AI与高性能计算带动下保持增长态势。这些数据属于行业背景参考，并非本次新闻公布的数据。

对公司与产业链的潜在意义

通富微电是国内主要封测企业之一，长期服务国际与国内芯片客户。若3D NAND多芯片堆叠及PoP技术实现稳定量产，公司可能在存储封测细分市场获得差异化优势。不过，技术“掌握”与大规模商业化之间通常存在距离，涉及良率、成本与客户验证等环节，相关进展尚需持续观察。 从更广的产业链视角看，存储封装能力的提升有助于缓解高密度存储集成中的瓶颈。AI服务器、边缘计算设备与移动终端对存储带宽和体积的要求不断提高，3D堆叠与PoP正是应对路径之一。通富微电此次回应，可能被市场视为国内封测环节向高附加值领域延伸的信号，但实际影响仍取决于后续订单与产能释放情况。

数据参考

• 本次新闻已确认信息：通富微电9月11日回应称已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP等技术；来源为证券之星，发布时间为2026年9月11日。
• 行业背景参考：Yole Intelligence 2023年估算，全球先进封装市场规模预计2028年接近800亿美元，2022至2028年复合增长率约10%。
• 行业背景参考：SEMI 2024年报告显示，全球封装与测试设备支出在AI与高性能计算带动下保持增长。
• 其他具体客户、量产时间、技术参数及财务数据，暂缺可核验的本次新闻披露信息。 #通富微电 #先进封装 #3D #PoP