三星高通合作推进2.1D封装，AI芯片互连方案出现新路径

合作方向：绕开硅中介层的2.1D路线

据cnBeta.COM援引Google News摘要信息，三星与高通正在联手推进2.1D先进封装技术，其核心特点是不依赖硅中介层，目标是面向AI芯片提供高性能互连能力。这一消息使“2.1D封装”重新进入产业视野。 需要明确的是，本次新闻已确认的信息主要包括：合作方为三星与高通，技术方向为2.1D先进封装，技术特征是无需硅中介层，应用指向为AI芯片高性能互连。至于具体性能指标、量产时间、交易金额和制程参数，暂缺可核验数据。 从技术定位看，2.1D封装介于传统2D封装与2.5D封装之间。2.5D封装通常依赖硅中介层实现高密度互连，但成本较高、供应链复杂。若2.1D方案能够在部分场景下绕开硅中介层，可能为AI芯片提供一种成本与性能之间的折中路径，值得关注。

产业背景：先进封装成为AI算力瓶颈环节

先进封装近年成为半导体产业竞争焦点之一。随着AI加速器对高带宽内存和裸片间互连的需求上升，封装环节不再只是后道工序，而是影响系统性能和良率的关键变量。 行业背景参考数据方面，据Yole Intelligence 2023年估算，全球先进封装市场规模预计在2028年接近800亿美元，2022年至2028年复合增长率约为10%左右。据SEMI 2024年报告，全球封装与测试设备资本开支在先进封装驱动下保持增长趋势。这些数据属于行业背景参考，并非本次新闻公布的数据。 三星与高通的合作若顺利推进，可能影响AI芯片的互连方案选择。但该技术能否规模落地，仍取决于良率、热管理、设计工具链和代工生态的配合，有待进一步确认。

对AI芯片与半导体格局的潜在影响

对高通而言，先进封装能力有助于其在AI终端、汽车和数据中心领域提升芯片集成度。对三星而言，封装技术与代工业务存在协同空间，可能增强其承接AI芯片订单的竞争力。不过，本次新闻未披露双方合作的具体商业模式和产能安排。 据IDC 2024年数据，全球AI芯片市场规模在2023年约为数百亿美元级别，并预计未来数年保持高速增长。据WSTS 2024年统计，全球半导体市场在2023年出现下滑后，2024年有望恢复增长。这些数据用于说明AI芯片和半导体大盘背景，不构成对本次合作成果的预测。 总体来看，三星与高通联手推进2.1D封装，反映先进封装路线正在分化。绕开硅中介层能否在AI芯片互连中形成主流方案，尚需观察量产验证和生态支持。

数据参考

• Yole Intelligence，2023年：全球先进封装市场规模预计2028年接近800亿美元，2022年至2028年复合增长率约10%，为行业背景估算数据。
• SEMI，2024年：全球封装与测试设备资本开支受先进封装驱动保持增长趋势，为行业背景参考数据。
• IDC，2024年：全球AI芯片市场规模2023年为数百亿美元级别，预计未来数年高速增长，为行业背景参考数据。
• WSTS，2024年：全球半导体市场2023年下滑后，2024年有望恢复增长，为行业背景参考数据。
• 本次新闻已确认信息：三星与高通联手推进2.1D先进封装，无需硅中介层，面向AI芯片高性能互连；来源为cnBeta.COM，发布时间为2026年9月14日。具体技术参数、量产时间和交易金额暂缺可核验数据。 #三星 #高通 #先进封装 #AI芯片