晶能微、翠展微披露SiC项目进度，碳化硅功率器件赛道再引关注

两家企业释放项目推进信号

据电子工程专辑报道，晶能微与翠展微近期分别披露了各自在碳化硅（SiC）功率器件项目上的最新进度。该消息于2026年9月14日发布，但报道未披露具体的项目投资额、产能数字、客户名称或技术参数。 从公开信息看，两家企业均处于SiC功率器件产业化推进阶段。由于标题与摘要仅确认“披露项目进度”这一事实，关于项目所处环节（衬底、外延、器件设计还是模块封装）、产线状态及量产时间表，暂缺可核验数据，有待进一步确认。 尽管如此，这一动态本身反映出中国功率半导体企业在第三代半导体方向上的持续推进。SiC作为宽禁带半导体材料，在新能源汽车、光伏逆变器、储能与工业电源等场景中具备替代部分硅基IGBT的潜力，因而成为近年资本与产业关注的重点方向。

产业背景：SiC上车与市场规模

SiC功率器件最受关注的落点是新能源汽车主驱逆变器。相比传统硅基方案，SiC器件在高温、高压与高频工况下可能带来效率提升和系统体积缩小，但其成本、可靠性与供应链成熟度仍是规模化放量的关键变量。 从行业背景参考数据看，市场研究机构Yole在2024年发布的报告估算，全球SiC功率器件市场规模有望在2029年前后达到约100亿美元量级，其中汽车应用占据主要份额。该数据为预测值，并非本次新闻披露内容，仅用于说明赛道空间。 另一组参考数据来自SEMI：2023年全球SiC衬底与外延环节的资本开支延续增长态势，但具体金额因统计口径不同而存在差异。这些数据说明，SiC产业链仍处于产能建设与良率爬坡并行的阶段，企业项目进度披露本身具有产业风向标意义。

对AI与算力产业的间接影响

SiC功率器件与AI、算力并非直接同一环节，但两者在数据中心电源、服务器供电与储能系统上存在交汇。随着AI训练与推理集群功耗上升，供电效率与功率密度成为数据中心运营的重要成本项。 行业背景参考数据显示，IDC在2024年的相关估算认为，全球AI数据中心在电力与冷却方面的支出占比持续上升。若SiC器件在服务器电源（PSU）与不间断电源环节加速渗透，可能对能效指标产生边际改善。但这一影响取决于器件成本下降速度与电源厂商的导入节奏，短期内尚难量化。 因此，晶能微与翠展微的项目进度，更应被理解为国内SiC供给端能力建设的一部分。其能否转化为AI算力基础设施的供应链优势，值得关注，但不宜过度外推。

数据参考

• Yole，2024年估算：全球SiC功率器件市场规模有望在2029年前后达到约100亿美元量级（预测值，非本次新闻数据）。
• SEMI，2023年：全球SiC衬底与外延环节资本开支延续增长态势（行业背景参考，具体金额因口径而异）。
• IDC，2024年估算：全球AI数据中心电力与冷却相关支出占比持续上升（行业背景参考）。
• 本次新闻已确认信息：晶能微、翠展微披露SiC项目进度；来源为电子工程专辑；发布时间为2026年9月14日。其余数字暂缺可核验数据。 #碳化硅 #功率半导体 #晶能微 #翠展微