国产SiC MOSFET加速上车，这家企业完成7亿元融资

近日，据《电子工程专辑》报道，一家专注于第三代半导体领域的企业完成了7亿元人民币融资，其碳化硅（SiC）MOSFET产品已实现批量上车。这一事件标志着国产SiC功率器件在新能源汽车等高端应用中的商业化进程迈出关键一步。尽管具体交易方与金额细节有待进一步确认，但此次融资折射出资本市场对第三代半导体产业链国产替代前景的持续看好。

融资事件与SiC上车进展

根据新闻摘要，该企业本轮融资规模达7亿元，核心产品SiC MOSFET已进入量产装车阶段。这意味着其芯片已通过车规级认证，并开始向整车厂或Tier 1供应商批量交付。在新能源汽车电驱系统中，SiC MOSFET相比传统硅基IGBT能显著降低开关损耗、提升系统效率，尤其适用于800V高压平台车型。 目前，国内已有部分车企在高端车型中导入SiC器件。该企业的批量上车案例，可能进一步验证国产SiC产品在可靠性、成本与性能上与海外竞品的差距正在缩小。不过，具体的客户名称、上车车型以及装车数量，并未在本次新闻中披露，仍属推测范围。

第三代半导体产业链国产化背景

SiC作为第三代半导体的代表材料，因其宽禁带、高击穿场强和高热导率，在新能源汽车、光伏逆变器、智能电网等领域需求激增。然而，从衬底、外延到芯片制造、封测的完整产业链，长期被Wolfspeed、ST、英飞凌等国际巨头主导。国产厂商近年加速追赶，但衬底良率、SiC MOSFET的沟道迁移率与栅氧可靠性仍是技术难点。 本次融资的成功，可能意味着该企业已具备从衬底到器件的部分自研能力，或至少实现了车规级产品的稳定量产。与国内同类企业相比，其融资规模或处于行业前列，这反映出资本对SiC赛道长期增长逻辑的认可。实际市场份额与技术对比，仍需后续财报或行业报告进一步验证。

行业市场趋势与资本流向

据行业调研机构Yole Group预测，全球SiC功率半导体市场规模预计到2027年将超过60亿美元，年复合增长率约30%。其中，新能源汽车是最大驱动力，预计占2027年SiC市场需求的70%以上。在国内，随着“双碳”目标与新能源汽车渗透率攀升，SiC国产化需求尤为迫切。 进入2026年，国内SiC领域融资依然活跃。头部衬底厂商天岳先进、天科合达等已形成初步产能，但高品质6英寸导电型衬底仍供不应求。本次7亿元融资可能用于扩建车规级SiC MOSFET产线或提升衬底自给率。未来，随着良率提升和规模效应显现，国产SiC器件价格有望降低，但具体成本下降曲线有待行业跟踪。

对AI与芯片产业的影响

SiC器件虽不直接参与AI计算，但其在高效能电源系统中的应用，对支撑AI训练与推理所需的数据中心电力转换效率至关重要。当前AI算力集群功耗持续攀升，采用SiC器件的服务器电源与储能系统可实现更高功率密度，利于降低数据中心运营成本与碳排放。 同时，SiC对制程设备、高纯材料的要求，可能间接拉动相关国产设备与材料企业的技术迭代。该企业能否在SiC MOSFET领域持续突破，可能影响国产高功率芯片生态的自主可控进程。其对AI产业的实际赋能程度，还需观察后续产品在数据中心测试中的表现。

数据参考

• 全球SiC功率半导体市场规模：Yole Group预测，2027年将超过60亿美元，年复合增长率约30%。
• 新能源汽车对SiC需求占比：Yole Group预测，到2027年将占SiC功率市场70%以上。
• 国内SiC衬底厂商：天岳先进、天科合达等已实现6英寸导电型衬底批量供货，具体产能与良率数据暂缺公开最新报告。
• 本次融资确认数据：企业完成7亿元融资，产品SiC MOSFET已批量装车，来源于《电子工程专辑》2026年7月16日报道。 #第三代半导体 #SiCMOSFET #新能源汽车 #半导体