厦门大学张峰教授深耕SiC功率器件与装备，光增强路径引发产业关注

一条值得关注的研发方向

据电子工程专辑报道，厦门大学张峰教授在碳化硅（SiC）功率器件与装备领域持续深耕，并探索“光增强”这一新路径。该报道于2026年9月发布，聚焦的是学术与工程交叉层面的研究方向，而非某一款具体量产产品的发布。对于关注汽车半导体和第三代半导体的产业人士而言，这类研究动态往往预示着未来器件性能优化和制造装备演进的可能方向。 需要明确的是，本次新闻确认的核心信息有限：研究主体为厦门大学张峰教授团队，研究方向为SiC功率器件与装备，以及光增强新路径。报道未披露具体的器件参数、工艺节点、量产时间表或合作企业信息。因此，任何关于性能提升幅度或商业化节奏的判断，目前都只能作为开放性议题来看待。

SiC为何成为汽车半导体的关键赛道

SiC功率器件在电动汽车主逆变器、车载充电机和直流变换器等场景中具有明确的应用逻辑。相比传统硅基IGBT，SiC器件在耐高压、耐高温和开关频率方面具备物理优势，有助于提升电驱系统效率并降低散热负担。这一特性使其成为800V高压平台车型的重要候选技术。 从行业背景数据看，SiC市场的增长预期较为明确。据Yole Développement 2023年发布的报告，全球SiC功率器件市场规模预计到2028年将达到约89亿美元，2022年至2028年复合年增长率约为31%。另据SEMI 2024年统计，全球SiC晶圆产能仍在持续扩张，6英寸向8英寸过渡是当前制造端的主要趋势之一。这些数据为理解张峰教授研究方向提供了产业坐标系，但需注意它们是行业整体估算，并非本次新闻发布的数据。

光增强路径可能意味着什么

“光增强”在功率器件语境中并非一个已被广泛标准化的术语。从公开研究脉络推测，它可能与光注入对载流子行为调控、光辅助退火或光触发开关特性等方向有关。在SiC器件中，界面缺陷和载流子寿命是影响性能的关键因素，如果光增强手段能够在工艺或器件结构层面带来改善，那么其对导通电阻和开关损耗的潜在影响值得关注。但具体机理和验证阶段，本次报道未提供可核验数据。 从装备角度看，SiC器件制造涉及高温离子注入、高温退火和外延生长等特殊工艺，对设备要求高于硅基产线。如果光增强路径能够与现有装备形成协同，可能为降低工艺热预算或提升激活效率提供新思路。不过，这一方向目前仍处于研究探索阶段，距离规模化量产仍有待进一步确认。

对产业格局的审慎观察

从产业竞争格局看， SiC赛道已聚集了英飞凌、意法半导体、安森美、罗姆等国际厂商，国内也有多家企业在器件和模块层面推进。据Yole 2023年数据，英飞凌在SiC功率器件市场份额约为30%，意法半导体紧随其后。在这一背景下，高校研究团队的贡献更多体现在前沿机理探索和人才培养层面，与产业化之间通常存在较长的转化链条。 值得关注的是，SiC成本结构中衬底和外延环节占比较高。据行业分析机构TrendForce 2024年估算，衬底成本约占SiC器件总成本的40%至50%。如果光增强技术能够在衬底缺陷控制或外延质量提升方面产生实际效果，其产业价值可能逐步显现。但在此之前，任何关于“颠覆性”或“大幅降本”的表述都为时过早。 总体而言，张峰教授的研究方向为SiC功率器件与装备提供了一条新的探索路径。对于汽车半导体和AI算力基础设施中的电源管理环节而言，SiC器件的性能进步具有间接但不可忽视的意义。后续进展有待更多学术发表和工程验证来确认。

数据参考

• Yole Développement，2023年：全球SiC功率器件市场规模预计2028年达约89亿美元，2022至2028年复合年增长率约31%（预测数据）。
• Yole Développement，2023年：英飞凌SiC功率器件市场份额约30%（估算数据）。
• SEMI，2024年：全球SiC晶圆产能持续扩张，6英寸向8英寸过渡为主要趋势（行业统计）。
• TrendForce，2024年：SiC衬底成本约占器件总成本40%至50%（估算数据）。
• 本次新闻已确认信息：厦门大学张峰教授研究方向为SiC功率器件与装备，探索光增强新路径；来源为电子工程专辑，发布时间为2026年9月17日。其余技术参数、性能数据和合作信息暂缺可核验数据。 #SiC #汽车半导体 #功率器件 #光增强