集微咨询发布2026年存储行业报告：全产业链透视下国产厂商加速突围

报告聚焦存储全产业链，国产替代进程受关注

据新浪财经消息，集微咨询于2026年9月发布《2026年存储行业研究报告》，报告以全产业链视角审视存储行业发展态势，并指出国产厂商正在加速突围。该消息由Google News摘要披露，发布时间为2026年9月17日。 从报告标题和摘要所传递的信息来看，此次研究覆盖了存储产业链的多个环节，而非仅聚焦于单一产品品类。这意味着报告可能涉及存储芯片设计、制造、封测、模组以及上游设备材料等环节的国产化进展。不过，报告的具体章节结构、覆盖企业名单及详细数据，目前暂缺可核验的公开信息，有待报告全文披露后进一步确认。 存储行业历来是半导体领域中市场集中度最高的板块之一。DRAM和NAND Flash两大主流存储市场长期由少数国际厂商主导。在这一背景下，国产存储厂商的突围路径、技术节点推进节奏以及产能爬坡情况，成为产业界持续关注的核心议题。集微咨询此次发布全产业链报告，可能为国内存储产业提供一个较为系统的阶段性梳理。

AI算力需求重塑存储市场格局

AI大模型训练与推理对高带宽、大容量存储的需求正在深刻改变存储行业的供需结构。与传统服务器相比，AI服务器对HBM（高带宽内存）和DDR5等高性能存储产品的用量显著提升，这一趋势已推动全球主要存储厂商调整产能分配。 从行业背景来看，据Gartner 2025年发布的预测数据，全球HBM市场规模有望在2025年至2027年间保持较高增速，具体增长率因统计口径不同而有所差异。另据WSTS（世界半导体贸易统计组织）2025年秋季预测，全球存储器市场规模在2025年预计实现同比正增长，2026年有望继续扩大。这些行业背景数据来自公开机构预测，并非本次集微咨询报告发布的数据，两者需明确区分。 对于国产存储厂商而言，AI带来的需求增量既是机遇也是挑战。一方面，高性能存储产品的需求增长为国产厂商提供了切入高端市场的窗口；另一方面，HBM等高端产品在堆叠工艺、良率控制和先进封装方面存在较高技术壁垒，国产厂商在相关领域的量产进展和客户导入情况，仍有待进一步确认。

国产存储突围的路径与变量

从近年来的产业动态观察，国产存储厂商在多个维度上推进自主化进程。在DRAM领域，部分国内厂商已在成熟制程节点实现量产，并逐步向更先进节点演进。在NAND Flash领域，国内厂商在层数堆叠技术上持续迭代，试图缩小与国际头部厂商之间的代际差距。在存储模组和主控芯片环节，国产化率相对较高，但高端企业级产品的替代仍有空间。 据SEMI（国际半导体产业协会）2025年发布的报告数据，中国大陆晶圆厂产能近年来持续扩张，其中存储相关产线的资本开支在整体半导体资本开支中占据一定比例。不过，具体到存储产线的产能利用率和实际产出数据，不同机构统计口径存在差异，暂缺统一的权威数据来源。此外，IDC 2025年的市场追踪数据显示，中国存储市场中本土厂商的份额在部分细分领域有所提升，但整体占比仍然较低。 值得关注的是，存储行业的国产替代并非线性推进。设备与材料环节的自主可控程度、下游客户的验证周期、以及全球存储价格周期波动，都可能影响国产厂商的突围节奏。集微咨询此次报告是否对上述变量进行了量化分析，目前暂缺可核验的具体内容，有待报告全文公开后进一步确认。

数据参考

• 集微咨询《2026年存储行业研究报告》发布信息：来源为新浪财经，发布时间2026年9月17日（本次新闻已确认信息，报告具体数据暂缺可核验来源）。
• 全球HBM市场规模预测：来源为Gartner，2025年发布（行业背景参考数据，预测性质）。
• 全球存储器市场规模预测：来源为WSTS，2025年秋季预测（行业背景参考数据，预测性质）。
• 中国大陆晶圆厂产能及资本开支趋势：来源为SEMI，2025年发布（行业背景参考数据）。
• 中国存储市场本土厂商份额变化：来源为IDC，2025年市场追踪数据（行业背景参考数据）。 #集微咨询 #存储芯片 #国产半导体 #HBM