国产芯片验证背部供电设计：绕过EUV的先进制程新路径

背景：背部供电为何成为焦点

据电子工程专辑2026年9月19日报道，国产芯片已对BSPD（背部供电，Backside Power Delivery）设计完成验证，并称该方案使国产芯片“无需EUV也能用上18A同款技术”。这一表述的核心信息有两点：一是国产芯片在背部供电这一先进设计方向上取得验证进展；二是该路径被描述为不依赖EUV光刻即可对标18A级别的供电技术特征。 背部供电的基本思路，是将传统位于晶圆正面的电源布线网络转移至晶圆背面，从而释放正面金属层资源用于信号布线，并缩短供电距离。英特尔此前宣布的18A节点即把背部供电作为关键卖点之一。本次新闻所确认的，是国产芯片在该设计方向上完成了验证，而非宣布量产或具体的制程节点突破。

技术含义：设计与光刻的“解耦”

值得关注的是，背部供电在相当程度上属于设计与工艺集成层面的创新，而非直接依赖光刻分辨率提升。这意味着，即便在没有EUV光刻设备的情况下，通过晶圆减薄、背面通孔、载片键合等工艺组合，仍有可能在供电性能上获得改善。对于受设备出口管制约束的国产半导体产业来说，这类“设计换性能”的路径具有现实意义。 不过，“18A同款技术”这一说法需要审慎理解。背部供电本身是一个技术方向，不同厂商在通孔密度、对准精度、散热方案上的实现差异很大。国产方案具体达到何种性能水平、良率如何、是否具备量产条件，暂缺可核验数据，有待进一步确认。

产业影响：AI算力需求下的现实选择

在AI算力需求持续扩张的背景下，供电与散热已成为先进芯片的性能瓶颈之一。背部供电有望降低IR压降、提升功率密度，这对高功耗的AI加速器尤为关键。如果国产芯片能够在不依赖EUV的前提下部分获得这类收益，可能为国产AI芯片的能效优化提供一条补充路径。 同时也要看到，背部供电验证与大规模量产之间仍有距离，涉及的键合设备、背面工艺产线配套以及成本控制，都是需要观察的环节。该事件更可能被理解为国产半导体在“非光刻”技术维度上的一次方向性探索，而非对先进制程差距的全面抹平。

数据参考

• 本次新闻已确认信息：国产芯片验证BSPD背部供电设计，无需EUV即可用上18A同款技术（来源：电子工程专辑，2026年9月19日）。除此之外的具体技术参数、性能数字、参与厂商、量产时间表，均暂缺可核验数据。
• 行业背景参考数据（非本次新闻公布）：
• 据SEMI统计，2023年全球半导体设备销售额约为1063亿美元，其中光刻设备为关键品类之一（来源：SEMI，2023年）。
• 据WSTS数据，2024年全球半导体市场规模约为6000亿美元量级（来源：WSTS，2024年预测口径）。
• 据Gartner估计，2024年全球AI半导体收入约为数百亿美元规模并保持较快增长（来源：Gartner，2024年估算）。
• 据IDC数据，2024年全球AI服务器市场规模保持两位数增长趋势（来源：IDC，2024年）。
• 关于背部供电具体渗透率与国产方案良率，暂缺可核验的公开量化数据。 #AI #半导体 #背部供电 #先进制程