三星亚10nm级DRAM拟引入混合键合，存储与AI芯片竞速进入新阶段

一次封装路线的关键切换

据电子工程世界（EEWorld）2026年9月23日报道，有消息称三星电子首代亚10nm级DRAM内存将采用混合键合结构。该消息目前仅为产业传闻层面，三星官方尚未披露具体产品型号、量产时间表与工艺细节，相关技术参数暂缺可核验数据。 若该方向属实，其意义在于DRAM先进制程的竞争焦点正从单纯的光刻微缩，向“微缩+封装”并行转移。混合键合通过铜-铜直接互连取代传统焊球，可缩短信号路径并改善散热与堆叠密度。这类技术此前更多出现在CMOS图像传感器与3D NAND领域，向DRAM主力产品线延伸，值得持续关注。

AI算力需求如何重塑存储路线

AI服务器对高带宽内存（HBM）的需求，是本轮DRAM技术演进的直接推力。据市场研究机构TrendForce（2024年）估算，HBM在DRAM总营收中的占比已从2023年的个位数水平快速攀升，并预计在2025年后继续提高；同一机构指出，2024年全球HBM出货量同比增长幅度超过一倍。这些数据属于行业背景参考，并非本次新闻所公布。 亚10nm级DRAM是HBM堆叠的基础单元。制程越先进，单位晶圆产出的存储密度越高，但电容结构与漏电控制难度同步上升。混合键合可在不牺牲良率的前提下实现更多层堆叠，因而被视为延续HBM带宽与容量增长的关键候选路径之一。对三星而言，这既是技术卡位，也是对其代工与存储双线协同能力的检验。

对晶圆代工与设备端的可能影响

混合键合对前道与后道设备都提出新要求，包括超平坦化、表面清洁与对准精度。据SEMI（2024年）统计，全球半导体设备销售额在2024年约为千亿美元量级，其中先进封装相关设备的增速高于整体市场。若DRAM厂商加速导入混合键合，封装设备与材料的资本开支结构可能随之调整，但具体幅度有待进一步确认。 在晶圆代工侧，三星同时经营存储与逻辑代工业务。据Counterpoint（2024年）数据，台积电在全球晶圆代工市场份额长期维持在六成以上，三星位居第二。存储工艺与代工工艺的耦合，可能成为三星差异化竞争的抓手，也可能因资源分散而带来执行风险。

数据参考

• TrendForce（2024年）：HBM出货量与营收占比估算，属行业背景参考，非本次新闻数据。
• SEMI（2024年）：全球半导体设备销售额及先进封装设备趋势，属行业背景参考。
• Counterpoint（2024年）：全球晶圆代工市场份额估算，属行业背景参考。
• 本次新闻已确认信息：仅包括消息来源EEWorld、发布时间2026年9月23日，以及“三星电子首代亚10nm级DRAM将采用混合键合结构”这一传闻本身。
• 未确认信息：具体制程节点数值、堆叠层数、量产时间、投资金额与官方表态，均暂缺可核验数据。 #三星电子 #DRAM #混合键合 #HBM