HBM挤占DRAM产能之际，中国厂商加速切入通用存储市场

三星与SK海力士产能重心转向HBM

据朝鮮日報中文版报道，三星电子和SK海力士在DRAM产量受制于HBM（高带宽存储器）的期间，中国厂商正在加速渗透通用DRAM市场。这一报道揭示了当前存储半导体产业的一个重要结构性变化：头部厂商的产能与资本开支正持续向HBM倾斜，而通用DRAM供给格局可能因此出现新的缝隙。 HBM是面向AI加速器的高附加值存储产品，需要堆叠多层DRAM裸片并配合先进封装。生产同等容量的HBM所消耗的晶圆面积显著高于通用DDR产品，这意味着HBM占比提升会间接压缩通用DRAM的有效供给。三星与SK海力士作为全球主要存储厂商，将资源优先配置于HBM，属于对AI算力需求的直接回应。 从产业逻辑看，这种产能再分配并非短期现象。头部厂商的先进制程与封装产线一旦向HBM和服务器级产品集中，通用DRAM的扩产节奏可能放缓，从而为中国存储厂商提供切入成熟制程与通用产品的窗口期。本次新闻确认的核心事实是这一趋势正在发生，但具体产能数字与市场份额变化暂缺可核验数据。

AI算力需求重塑存储产业结构

AI训练与推理对存储带宽的需求，是HBM成为焦点的根本原因。GPU与AI加速器需要HBM提供远高于传统DDR的带宽，以缓解“内存墙”问题。随着大模型参数规模扩大，单颗加速器搭载的HBM容量与堆叠层数持续提升，带动HBM在DRAM总产值中的占比上升。 这种需求结构变化，对存储厂商意味着两重影响。一方面，HBM单价与利润率高于通用DRAM，有助于改善产品组合；另一方面，HBM占用更多晶圆与封装产能，可能挤压通用DRAM和利基型存储的供给。对于下游的消费电子、工业控制和部分服务器客户而言，通用DRAM的供应弹性值得关注。 中国厂商在通用DRAM领域的渗透，可能沿着成熟制程和标准产品逐步推进。这一路径与此前在NAND和面板领域的经验相似，但其在先进制程、设备获取和客户认证方面仍面临约束。因此，渗透的速度与深度有待进一步确认，不宜简单线性外推。

市场格局与潜在影响

从行业背景参考数据看，HBM市场近年来增长迅速。据Gartner等机构的历史估算，HBM在DRAM总营收中的占比在此前数年处于上升通道，但不同机构的统计口径存在差异。市场研究机构对HBM出货量与市场规模的预测通常以年度为周期更新，具体数值应以最新公开报告为准。 通用DRAM方面，据WSTS和IDC等机构的历史数据，全球DRAM市场长期由少数厂商主导，市场份额高度集中。中国厂商的进入，可能在中低容量与成熟制程产品上形成补充供给。这种变化对价格、客户议价能力和供应链安全的影响，需要结合后续产能落地与客户导入情况观察。 对AI与半导体产业而言，存储供给的多元化和区域化是一个值得关注的长期变量。HBM供应紧张可能推高AI服务器成本，而通用DRAM的供给变化则关系到更广泛的电子制造。两条产品线的产能竞争与分配，可能成为未来数年存储产业的重要看点。

数据参考

• 本次新闻确认事实：三星电子和SK海力士DRAM产量受制于HBM，中国加速渗透通用DRAM市场，来源为朝鮮日報中文版，发布时间为2026年9月23日。
• 行业背景参考：HBM在DRAM总营收中占比呈上升趋势，来源机构为Gartner等，年份为历史估算，具体数值暂缺可核验数据。
• 行业背景参考：全球DRAM市场份额长期高度集中，来源机构为IDC、WSTS等，年份为历史数据，具体份额暂缺可核验数据。
• 说明：本次新闻未提供具体产能、出货量、交易金额或技术参数，相关数字均未在文中编造。 #SK海力士 #HBM #DRAM #三星电子