三星平泽 P5 工厂提速：PH1 锁定 DRAM，PH2 或转向 NAND

平泽 P5 新进展：存储产能扩张再提速

据 17173 于 2026 年 9 月 28 日援引的消息，三星电子正在加速其平泽 P5 晶圆厂的 PH1 产线建设，该产线将用于 DRAM 生产；与此同时，PH2 产线未来可能用于 NAND 闪存生产。上述信息来自新闻标题与摘要，属于本次报道已确认的核心事实。除此之外，投资金额、具体产能、量产时间表及制程节点等细节，暂缺可核验数据。 平泽园区是三星存储业务的核心制造基地，P5 作为其新一代晶圆厂项目，产线分配方向一直受到产业链关注。若 PH1 优先导入 DRAM、PH2 预留 NAND，意味着三星在厂区内部对不同存储产品线的资源配置做出了阶段性安排。这一安排的具体动因，仍有待进一步确认。

AI 需求如何重塑 DRAM 与 NAND 的优先级

在 AI 算力扩张的背景下，HBM（高带宽内存）成为 DRAM 领域最受关注的方向，而 HBM 的产能消耗显著高于传统 DDR 产品。据 TrendForce 2024 年估算，HBM 在 DRAM 总产能中的占比持续提升，其单位晶圆产出所对应的bit 容量低于标准 DRAM，这意味着同样规模的 AI 服务器出货会占用更多 DRAM 产能。三星优先推进 PH1 的 DRAM 建设，可能正是对这一结构性变化的回应。 NAND 侧的处境则有所不同。AI 服务器对企业级 SSD 的需求同样在增长，但 NAND 市场在 2023 至 2024 年经历了较长时间的价格低迷，据 WSTS 2024 年数据，全球存储芯片市场在 2023 年出现两位数下滑后于 2024 年恢复增长，其中 DRAM 的复苏节奏快于 NAND。将 PH2 与 NAND 关联，可能反映三星希望在 DRAM 与 NAND 之间保持产能弹性，但这一判断仍属于产业推测。

对存储产业格局的潜在影响

从资本开支角度看，存储原厂的扩产节奏直接影响全球供给。据 SEMI 2024 年发布的报告，全球 300mm 晶圆厂设备支出在 2024 年恢复增长，存储领域是主要驱动力之一，但具体到三星 P5 的投入规模，本次新闻未提供任何数字。若 PH1 与 PH2 按上述方向推进，三星在 DRAM 端的产能增量可能对 HBM 供给形成支撑，在 NAND 端则可能影响企业级 SSD 的长期供应格局。 值得关注的是，存储行业的产能决策通常领先市场需求数个季度，产线分配一旦确定，调整成本较高。三星将 P5 的 PH1 与 PH2 分别指向 DRAM 和 NAND，是否意味着其判断 AI 驱动的 DRAM 景气度将延续更久，目前尚无官方说明。这一问题的答案，可能需要等待三星后续的财报电话会或官方公告来确认。

数据参考

• 本次新闻已确认信息：三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND；来源为 17173，发布时间 2026 年 9 月 28 日。
• HBM 在 DRAM 总产能中占比持续提升：TrendForce，2024 年估算。
• 全球存储芯片市场 2023 年下滑、2024 年恢复增长：WSTS，2024 年。
• 全球 300mm 晶圆厂设备支出 2024 年恢复增长，存储为主要驱动力之一：SEMI，2024 年。
• 三星 P5 项目的投资金额、产能规划、量产时间及制程节点：暂缺可核验数据。 #三星 #DRAM #NAND #HBM