国产MOCVD设备新增装机占比达78%，GaN功率器件产业链自主化提速

集微咨询于2026年9月29日发布《2026年MOCVD设备行业研究报告》，报告显示国产MOCVD设备在国内新增装机中的占比已达78%，全球MOCVD市场保持稳步扩容态势。这一数据标志着第三代半导体核心制造装备的国产替代进入新阶段，对GaN功率器件及整个化合物半导体产业链具有结构性影响。

国产设备主导新增产能，供应链格局出现转折

据集微咨询报告，国产MOCVD设备新增装机占比达到78%，意味着在第三代半导体外延生长这一关键环节，国内设备厂商已从过去的补充角色转变为主力供应方。MOCVD是GaN、SiC等宽禁带半导体外延片生产的核心装备，其技术壁垒长期由少数国际厂商把持。 该占比数据反映的是新增装机口径，而非存量替换。考虑到半导体设备通常有多年折旧周期，存量产线中进口设备仍占相当比例，但新增产能已明显向国产设备倾斜。这一趋势若持续，可能在未来数年改变全球MOCVD市场的竞争格局。 需要指出的是，报告未披露具体的设备台数、市场规模金额及国产厂商名称，相关细节有待进一步确认。

GaN功率器件需求驱动设备扩容

MOCVD设备市场扩容的直接驱动力来自GaN功率器件和Micro LED等下游应用的产能建设。GaN功率器件在快充、数据中心电源、车载充电等领域持续渗透，对MOCVD外延设备形成稳定需求。 从行业背景看，Yole Développement（现Yole Group）此前预测，全球GaN功率器件市场规模到2027年可能达到约20亿美元量级，复合增长率保持在较高水平。这一预测属于行业研究机构的估算，并非本次新闻发布的数据。 SEMI的全球半导体设备市场报告显示，2024年全球半导体设备销售额约为1170亿美元（SEMI，2024年），其中化合物半导体设备占比虽小但增速较快。MOCVD作为化合物半导体特有的关键设备，其市场走势与GaN、SiC器件扩产节奏高度相关。

AI与数据中心场景带来增量预期

值得关注的是，AI算力基础设施对高效电源的需求正在上升。数据中心GPU集群的供电架构对功率密度和转换效率提出更高要求，GaN功率器件在这一场景中具备潜在优势。若AI数据中心持续扩张，可能带动GaN功率器件的增量需求，进而传导至MOCVD设备端。 不过，目前GaN器件在数据中心电源中的实际渗透率暂缺可核验的权威数据，其规模化应用节奏仍有待观察。SiC器件在高压场景中同样具有竞争力，两种技术路线在不同功率段各有侧重。 从设备国产化角度看，78%的新增装机占比表明国内MOCVD厂商在技术成熟度和成本控制上已具备一定竞争力。但外延工艺的稳定性、良率以及大尺寸晶圆（如8英寸）的兼容能力，仍是衡量设备综合水平的关键指标，本次报告未披露相关技术参数。

数据参考

• 国产MOCVD设备新增装机占比78%：集微咨询《2026年MOCVD设备行业研究报告》，2026年（本次新闻已确认数据）
• 全球半导体设备销售额约1170亿美元：SEMI，2024年（行业背景参考数据）
• 全球GaN功率器件市场规模到2027年可能达约20亿美元量级：Yole Group，此前年度预测（行业背景参考数据，非本次新闻发布）
• MOCVD设备台数、市场规模金额、国产厂商具体名称：暂缺可核验数据 #GaN #MOCVD #第三代半导体 #国产替代