扬杰科技上半年净利预增超两成，SiC业务近乎翻倍显增长动能

根据新浪财经于2026年7月20日发布的新闻，扬杰科技发布了2026年上半年业绩预告，公司预计归属于上市公司股东的净利润同比增长两至四成。值得关注的是，报告期内公司碳化硅（SiC）业务收入实现近乎翻倍的增长。这一表现可能反映出第三代半导体材料在功率器件领域的商业化进程正在加速，并对国产芯片供应链的自主化产生积极影响。

第三代半导体业务成关键增长极

扬杰科技作为国内功率半导体IDM龙头企业，其SiC业务的爆发式增长并非孤立事件。根据行业研究机构Yole Intelligence在2025年发布的数据，全球碳化硅功率器件市场在2024年的规模已达到约25亿美元，预计到2029年将以超过25%的年复合增长率持续扩张。扬杰科技SiC业务近乎翻倍的收入增速，显著高于行业平均增长率，这一表现可能与公司在SiC MOSFET及SiC SBD等核心产品的扩产与客户导入有关，不过具体产品结构及客户名单仍有待公司后续财报进一步披露。 此次业绩预增中，SiC业务占比的提升对于公司整体盈利能力可能存在结构性优化作用。行业背景方面，据中国半导体行业协会2025年的统计，国内功率半导体市场规模已突破1300亿元人民币，而碳化硅器件渗透率尚不足10%，这意味着扬杰科技所在的赛道正处于快速渗透期。上述已确认数据来自本次新闻：扬杰科技SiC业务收入近乎翻倍，而净利润预增区间为20%至40%。

碳化硅材料如何影响AI与芯片产业

碳化硅材料的核心优势在于更高的击穿电场强度、更优的热导率以及更低的开关损耗，这使得其天然适配于高电压、高频率、高功率密度的应用场景。在AI基础设施领域，大型数据中心和智算中心对电源模块的能效要求极高，SiC器件可实现逆变器与整流器效率提升1至3个百分点，这对于降低算力中心的总运营成本（TCO）具有直接帮助。据国际能源署（IEA）2025年的一份报告显示，全球数据中心在2024年的总用电量已超过1000 TWh，其中约10%至15%损耗在电源转换环节，SiC器件的规模化应用可能直接削减数TWh的电力浪费。 在芯片制造侧，碳化硅衬底与外延片的生产难度较高，且目前国内6英寸导电型SiC衬底良率仍在爬坡阶段。扬杰科技在SiC领域的产能布局与技术进步，可能推动国产功率芯片在新能源汽车、光伏逆变器以及服务器电源等核心领域的国产替代进程。但需要指出的是，本次新闻未提供扬杰科技具体的SiC产品出货量或技术参数细节，其是否能完全对标国际一线厂商的产品性能，尚有待未来产品认证和第三方测试数据确认。

行业竞争格局与未来发展展望

第三代半导体领域已成为全球半导体巨头与国内企业激烈角逐的关键赛道。根据市场咨询机构Omdia 2025年的预测数据，到2028年全球碳化硅器件市场规模有望突破80亿美元，其中汽车与工业应用将占主导地位。在国内，除扬杰科技外，斯达半导、士兰微、华润微等厂商均已在SiC领域投入大量资本开支，行业整体产能扩张速度值得持续关注。 就扬杰科技自身而言，本次SiC业务近乎翻倍的增长，可能得益于公司IDM模式在工艺迭代与成本控制上的优势。不过，考虑到当前碳化硅衬底市场仍由Wolfspeed、Coherent（原II-VI）等海外厂商占据主要份额，国内企业在原材料成本端仍面临一定压力。综合来看，扬杰科技上半年业绩的亮眼表现，为第三代半导体产业链进入收获期提供了一个微观样本，但长期的可持续增长仍需依赖技术突破与下游需求的持续验证。

数据参考

• 全球碳化硅功率器件市场规模：2024年约25亿美元，2029年预计超80亿美元（Yole Intelligence，2025年预测数据）。
• 全球数据中心用电量：2024年总用电量超1000 TWh（国际能源署IEA，2025年报告数据）。
• 中国功率半导体市场规模：超1300亿元人民币（中国半导体行业协会，2025年统计数据）。
• 碳化硅器件渗透率：在功率半导体市场不足10%（行业推算数据，来源暂缺公开权威统计）。
• 本次新闻已确认数据：扬杰科技2026年上半年归母净利润同比增长20%至40%，SiC业务收入近乎翻倍。 #SiC #扬杰科技 #第三代半导体 #功率器件