兆易创新三度注资珠海芯存，DRAM布局提速，上半年净利同比猛增近11倍

在半导体存储芯片市场持续升温的背景下，兆易创新（GigaDevice）近日完成对珠海芯存的第三次增资，进一步加速其在DRAM领域的战略布局。与此同时，公司2026年上半年业绩预告显示，归属于上市公司股东的净利润同比大幅增长近11倍，达到约69亿元人民币。这一事件不仅折射出公司自身业务结构的深刻变化，也为观察中国存储芯片产业的演进方向提供了重要切口。

三度增资背后的DRAM战略意图

据公开信息，兆易创新已第三次对珠海芯存进行增资。珠海芯存专注于DRAM（动态随机存取存储器）的研发与设计，是兆易创新在存储芯片领域的重要生态伙伴。通过连续增资，兆易创新正系统性地强化对DRAM技术链的掌控力，以弥补其在主流存储产品线上相对于NAND Flash的布局短板。 从产业背景看，DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家寡头主导。根据WSTS（世界半导体贸易统计组织）2025年数据，全球DRAM市场规模约为980亿美元。兆易创新通过增资珠海芯存，意图在利基型DRAM（如DDR3、LPDDR4等）或定制化DRAM领域构建差异化竞争力，避开与巨头的正面竞争。这一策略与公司此前在NOR Flash市场的成功路径有相似之处，但DRAM的技术门槛和资本密集度更高，后续协同效果仍有待市场检验。

净利暴增背后的驱动力与潜在风险

兆易创新2026年上半年净利润同比增幅接近11倍，达到约69亿元，这一数字显著超出市场此前预期。根据公司历史财报数据，2025年上半年其净利润约为5.7亿元左右，因此本次增长基数较低但增幅极为可观。这背后可能与存储芯片价格回升、出货量增加及产品结构优化有关。 根据IDC 2026年初发布的存储市场报告，2026年全球DRAM与NAND Flash价格均呈现触底反弹趋势，预计全年存储芯片出货量将同比增长15%至20%。兆易创新作为国内存储芯片龙头之一，受益于行业周期上行。但值得注意的是，存储芯片行业具有强周期特征，价格波动剧烈。2023至2025年行业经历深度调整，多家厂商营收大幅下滑，因此投资者应警惕未来价格回落可能带来的业绩波动。

AI、算力需求与存储产业链重构

AI大模型的爆发正在重塑存储芯片的需求结构。训练和推理过程中，海量数据的快速读写对高带宽内存（HBM）和DRAM产生了巨大需求。根据Gartner 2025年估算，AI服务器对DRAM的需求量较传统服务器高出3至5倍。尽管兆易创新当前尚未大规模涉足HBM领域，但通过增资珠海芯存，公司有望在未来的定制化高带宽或低功耗DRAM产品上建立技术储备。 同时，国内半导体自主可控进程加速，也为兆易创新这样的本土企业创造了发展窗口。SEMI（国际半导体产业协会）2026年报告指出，中国存储芯片自给率仍不足15%，在DRAM领域尤其偏低。珠海芯存作为专注于DRAM的国产设计公司，其技术进展和产能扩张将直接影响兆易创新的垂直整合能力。不过，先进制程工艺（如1α、1β节点）的代工可获得性、设备出口管制等因素，依然是制约国产DRAM突破的关键变量，这一方面的影响有待进一步确认。

数据参考

• 全球DRAM市场规模约980亿美元（WSTS，2025年）
• 2025年上半年兆易创新净利润约5.7亿元（公司历史财报，2025年8月）
• 2026年全球存储芯片出货量预计同比增长15%至20%（IDC，2026年初预测）
• AI服务器对DRAM的需求量较传统服务器高出3至5倍（Gartner，2025年估算）
• 中国存储芯片自给率不足15%（SEMI，2026年报告） #兆易创新 #DRAM #存储芯片 #半导体