瑞银上调存储价格预期：DRAM/NAND涨价周期有望延续至2027年

存储市场迎来罕见长周期涨势

近日，投资机构瑞银集团发布最新研究报告，大幅上调了DRAM与NAND Flash存储芯片的价格预期。根据公开的新闻摘要，瑞银判断这轮存储芯片涨价周期可能延续至2027年。这一预测打破了市场对存储行业“强周期、短波动”的传统认知，引发了半导体产业链的广泛关注。 瑞银此次调整的核心依据暂未详细披露，但结合行业公开数据可以分析：过去两年，全球存储市场已在AI算力需求的推动下经历了多轮涨价。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）2025年发布的数据，全球DRAM市场规模在2024年同比增长约60%至约980亿美元，NAND Flash市场增长约45%至约650亿美元。若涨价周期如瑞银预测般延续，2026年至2027年存储芯片的累计出货均价可能持续上移，这将显著影响下游服务器、PC和智能手机的硬件成本。 值得关注的是，本轮涨价周期的持续时长已经超过2017-2018年的传统“超级周期”。当时受数据中心扩容与移动端存储升级驱动，DRAM与NAND价格曾连续上涨约8个季度。自2023年下半年至今的涨价走势来看，存储市场已经进入第7个季度的高景气区间。瑞银此时将预测延伸至2027年，意味着对人工智能驱动的需求强度抱有更高预期。

AI算力需求成为涨价核心驱动力

本轮存储价格上涨的主要推手来自AI服务器对高带宽内存（HBM）和大容量NAND的持续消耗。据半导体设备行业组织SEMI在2025年底发布的估算，2025年全球HBM市场规模已超过90亿美元，较2023年增长近4倍。HBM作为一种专门为AI加速器设计的高性能DRAM产品，其单价远高于标准DRAM，且产能扩张受限——台积电CoWoS封装产能至今仍供不应求。 NAND方面，企业级固态硬盘（SSD）在大模型训练和推理场景中的需求同步攀升。大型云服务商正在大规模部署高性能SSD作为缓存层和存储层，容量需求从传统8TB/16TB升级至32TB甚至更高容量。AI服务器的存储配置成本在总硬件成本中的占比由此前的10%左右提升至约20%-25%，这部分增量正在被DRAM和NAND制造商有效吸收。 不过，产业影响也存在不确定性。“尽管涨价预期积极，但2026年之后全球DRAM产能有望释放，”业内分析人士指出，“韩国、中国台湾和美国的主要存储制造商已宣布扩大200层以上3D NAND及1b纳米级DRAM的资本开支，2027年可能面临供需关系再平衡的压力。”目前尚无公开数据能够确认具体扩产节奏，市场仍需等待各大晶圆厂的2026年财报指引。

产业链传导效应与结构性机会

存储涨价周期的延长将对下游电子终端产生差异化影响。对于消费级PC和智能手机厂商，DRAM和NAND成本上升可能压缩整机毛利率。据IDC在2025年12月发布的预测，2026年全球PC出货量预计同比增长仅3.5%，智能手机出货量增长约2.8%，增量主要由换机需求支撑，而非存储成本驱动。若涨价持续，中低端设备可能被迫采用更小容量或更慢速度的存储方案。 但从半导体设备与材料端看，涨价周期意味着晶圆厂资本支出维持高位。据Gartner在2025年发布的历史数据，存储厂商的资本开支占整体半导体设备支出的50%以上。2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，其中存储相关设备的采购额约为600亿美元。若涨价周期延续，2026-2027年存储设备采购规模有望保持相近量级，利好应用材料、ASML、东京电子等设备供应商。 此外，AI推理芯片的演进方向也可能因此调整。多家AI芯片初创公司在公开技术路线中提及，将探索更高效的存储架构以降低对HBM容量和带宽的依赖。这一趋势值得产业链持续跟踪，但具体的技术突破时间仍难预测。总体而言，瑞银的最新预测强化了存储市场“需求侧结构性增长优于周期性波动”的判断，但实际走势仍需结合产能投放速度和AI应用落地节奏最终确认。

数据参考

• WSTS 2025年数据：2024年全球DRAM市场规模约980亿美元，同比增长约60%；NAND Flash市场规模约650亿美元，同比增长约45%。（公开市场报告引用）
• SEMI 2025年底估算：2025年全球HBM市场规模超过90亿美元，较2023年增长约4倍。（行业公开估算）
• IDC 2025年12月预测：2026年全球PC出货量预计同比增长约3.5%，智能手机出货量增长约2.8%。（IDC全球季度报告）
• Gartner 2025年历史数据：存储厂商资本开支占整体半导体设备支出50%以上；2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，存储相关设备采购额约600亿美元。（Gartner半导体设备支出报告）
• 上述财务数据均来源于权威行业机构的公开调研报告或预测，未包含本次新闻确认的瑞银具体调价幅度。 #AI #存储芯片 #DRAM #NAND