第三代半导体 2026-07-29 14:49

士兰微(600460)7月28日遭主力资金净卖出3.54亿元,GaN功率器件赛道热度不减

主力资金异动与当日市场概况 7月28日,杭州士兰微电子股份有限公司(600460)在二级市场上出现明显资金流出。

主力资金异动与当日市场概况

7月28日,杭州士兰微电子股份有限公司(600460)在二级市场上出现明显资金流出。根据当日交易数据,该股主力资金净卖出3.54亿元,引发市场对这家国内IDM模式(整合器件制造)半导体厂商近期走势的关注。此次主力净卖出金额较大,可能反映部分机构投资者在股价波动或公司基本面预期变化下的调仓行为。截至发稿,士兰微尚未就此次资金异动发布正式公告,市场对其背后动因仍存在多种解读。 从行业大背景看,2026年以来,全球功率半导体市场尤其是第三代半导体材料领域持续活跃。据WSTS(世界半导体贸易统计组织)2025年年度报告预测,2026年全球功率半导体市场规模有望突破650亿美元,其中以GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)为代表的第三代半导体器件增速领先。士兰微作为国内少数同时布局硅基功率器件和GaN功率器件的IDM企业,其股价波动往往与行业景气周期密切相关。本次主力资金净卖出3.54亿元的具体持仓变动情况,尚需等待后续龙虎榜数据或公司定期报告进一步披露。

GaN功率器件产业化进程与士兰微的布局

在第三代半导体领域,GaN功率器件因其在高频、高功率密度和低导通电阻方面的突出优势,近年来在快充充电器、数据中心电源、新能源汽车车载充电机(OBC)及光伏逆变器等场景的商用落地明显加速。据Yole Intelligence 2025年发布的功率GaN市场报告,2025年全球GaN功率器件市场规模达到约18亿美元,同比增长约65%。该机构预计2026年将突破25亿美元,增长动力主要来自消费电子快充和通信基站电源。 士兰微在GaN功率器件领域的布局已持续多年。公司拥有从芯片设计、制造到封测的完整IDM能力,其6英寸和8英寸产线可兼容硅基GaN器件的生产。根据公司2025年年度报告,士兰微已完成多款650V及1200V电压等级GaN功率器件的研发与样品验证,部分产品已进入客户端小批量导入阶段。2026年一季度公司财报显示,功率半导体业务(含GaN和SiC)营收同比增长约22%,但GaN器件具体营收占比因公司未单独披露,仍属于暂缺可核验数据的状态。本次主力资金净卖出的具体原因,是否与市场对公司GaN产线产能爬坡进度或客户导入周期预期变化有关,还有待进一步确认。

AI与数据中心需求对功率半导体的拉动效应

随着AI大模型训练的算力需求持续井喷,数据中心能耗问题日益凸显。据IDC 2026年初发布的行业报告,2025年全球数据中心用电量约占全球总用电量的2%-3%,其中AI训练集群的电力成本占运营总成本的比重从2023年的约15%上升至2025年的接近25%。为降低系统功耗和热管理压力,数据中心电源系统正加速从传统硅基MOSFET向GaN功率器件迁移。GaN器件的工作频率可比硅器件提升5倍以上,而导通电阻降低约50%,从而在同等输出功率下大幅减少电源模块的发热量和体积。 这一趋势可能间接影响士兰微等GaN器件供应商的长期需求预期。尽管当下7月28日的资金净卖出动作偏短期,但结合整个半导体产业的资本开支节奏,值得关注的是,2025年全球功率半导体厂商的资本支出合计约达720亿美元(SEMI 2026年一季度设备市场报告估算数据),其中用于GaN和SiC产线扩建的支出增速显著高于传统硅产线。士兰微若能顺利推进其GaN器件的良率提升与客户认证,有望在数据中心电源这一高增长细分领域分得蛋糕。不过,目前尚无公开信息表明本次主力资金流出与公司AI相关业务订单变动有直接关联。

数据参考

  • 全球功率半导体市场规模预测:WSTS 2025年年度报告预计2026年全球功率半导体市场规模有望突破650亿美元。
  • 全球GaN功率器件市场规模与增速:Yole Intelligence 2025年发布报告指出,2025年全球GaN功率器件市场规模约18亿美元,同比增长约65%,预计2026年将超过25亿美元。
  • 士兰微功率半导体营收增速:依据公司2026年一季度财报,功率半导体业务(含GaN和SiC)营收同比增长约22%。
  • 数据中心用电与AI成本占比:IDC 2026年初行业报告显示,2025年全球数据中心用电量约占全球总用电量的2%-3%,AI训练集群电力成本占运营总成本的比重从2023年约15%上升至2025年接近25%。
  • 全球功率半导体资本支出:SEMI 2026年一季度设备市场报告估算,2025年全球功率半导体厂商资本支出合计约720亿美元。 #GaN #功率半导体 #士兰微 #IDM