东吴证券首次覆盖天岳先进，碳化硅衬底赛道获机构关注

券商首次覆盖，碳化硅材料赛道再迎机构目光

根据新闻标题及摘要信息，东吴证券国际经纪近日发布研究报告，首次覆盖天岳先进，并给予“买入”评级。该报告已通过券商研报渠道发布，数据解析内容同步公开。这是近期碳化硅（SiC）衬底领域又一次获得专业机构正面关注的案例，显示出资本市场对该细分赛道的持续兴趣。 天岳先进是国内碳化硅衬底材料的主要生产商之一，其产品广泛应用于第三代半导体器件。本次东吴证券的覆盖动作，可能意味着该公司在技术突破、产能扩张或客户导入方面取得了阶段性进展，具体细节有待研报全文进一步披露。值得注意的是，券商首次覆盖并给予买入评级，通常表明机构对公司基本面及行业前景持积极看法。

碳化硅衬底：AI与芯片产业的关键材料支撑

碳化硅衬底作为第三代半导体材料，其物理性能优势显著：相比传统硅材料，碳化硅具有更高的击穿场强、更好的热导率和更低的导通损耗。这些特性使其在高温、高压、高频应用场景中表现出色，尤其在AI算力基础设施的电源管理、新能源汽车电驱系统、光伏逆变器以及5G通信基站等领域，碳化硅器件正逐步替代传统硅基器件。 据Yole Group 2025年预测数据，全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2024年的约30亿美元增长至2029年的约100亿美元，年复合增长率（CAGR）可能超过25%。衬底作为碳化硅器件成本的核心组成部分，约占器件总成本的40%至50%，因此衬底材料的产能与良率直接决定了整个产业的降本空间。天岳先进在该领域的布局，可能受益于下游需求的持续扩张。

行业趋势与市场影响分析

从产业背景看，碳化硅衬底的国产替代进程正在加速。根据SEMI 2025年发布的报告，中国在碳化硅衬底领域的产能规划占全球新增产能的比重可能已超过30%。天岳先进作为国内少数能批量供应6英寸碳化硅衬底的企业之一，其在8英寸衬底研发方面的进展值得行业关注。 此外，AI大模型训练带来的算力需求激增，直接拉动了数据中心电源效率和热管理能力的提升。碳化硅器件在数据中心电源变换器中可实现更高的开关频率和更低的损耗，有助于降低PUE（能源利用效率）。据IDC 2026年预测数据，全球AI服务器出货量在2025年至2028年期间可能保持年均20%以上的增速，这为碳化硅衬底材料提供了潜在增量市场。但上述关联是否直接影响天岳先进的短期业绩，有待进一步确认。

数据参考

• 全球碳化硅功率器件市场规模预测：2024年约30亿美元，2029年约100亿美元，年复合增长率可能超过25%，数据来源：Yole Group，2025年。
• 碳化硅衬底成本占器件总成本比例：约40%至50%，数据来源：行业通用估算，具体数值暂缺可核验的单一权威来源。
• 中国碳化硅衬底产能规划占全球新增产能比重：可能已超过30%，数据来源：SEMI，2025年。
• 全球AI服务器出货量增速预测：2025年至2028年可能保持年均20%以上增长，数据来源：IDC，2026年预测。 #东吴证券 #天岳先进 #碳化硅衬底 #第三代半导体