机构预测2027年存储器市场分化：DRAM供给持续紧张，NAND Flash趋于宽松

根据行业研究机构近日发布的预测，全球存储器市场将在2027年出现明显分化。其中，DRAM（动态随机存取存储器）的供给将维持紧缺状态，而NAND Flash（闪存）市场则可能转向供过于求。这一趋势研判来自公开报道的搜狐新闻源，发布时间为2026年7月30日。该预测对AI芯片、数据中心和半导体产业链的布局方向可能产生深远影响。

DRAM紧缺态势延续，AI与数据中心需求成关键推手

市场分析指出，DRAM供给持续紧缺的核心驱动力来自AI训练与推理对高带宽内存（HBM）及DDR5的爆发式需求。随着大模型训练集群和云端推理服务器的快速部署，DRAM作为计算核心的“短期记忆”载体，其产能扩充速度明显滞后于需求增长。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）2025年发布的数据，2024年全球DRAM市场规模同比增长约62%，达到约980亿美元。该机构还预测，2025年DRAM市场将进一步增长约25%。 值得关注的是，DRAM的制程工艺从1α纳米向1β纳米及更先进节点演进时，资本开支与技术难度均显著提升。据SEMI（国际半导体产业协会）2025年发布的最新报告预测，2026年全球半导体设备总支出将首次突破1200亿美元，其中存储器领域设备投资占比接近40%。若DRAM产能扩充继续受限于先进制程的良率爬坡，2027年的供需缺口可能进一步扩大。不过，上述预测尚未经本次新闻来源直接确认，其实现幅度有待进一步观察。

NAND Flash供给宽松：库存调整与需求增速放缓的双重作用

与DRAM的紧缺格局相反，预测显示NAND Flash市场在2027年将转趋宽松。这一判断可能源于两大因素：一是全球NAND Flash原厂在2025年至2026年间大量扩产的产能逐步释放；二是下游消费电子（如智能手机、PC）的需求增速趋于平稳，而企业级SSD（固态硬盘）的采购虽保持增长，但难以完全消化新增供给。 根据IDC在2025年第四季度发布的全球存储器市场报告，2025年全球NAND Flash出货容量预计增长约18%，而同期需求端增长仅约12%。若这一趋势延续，2027年NAND Flash可能面临一定程度的库存压力，导致价格下跌。不过，AI推理服务器的存储密度提升（如大容量SSD需求增加）可能成为支撑价格的因素之一，其具体影响仍需进一步确认。

产业影响与战略启示：AI算力体系将从“单点紧缺”转向“结构性配置”

存储器市场的分化趋势，将对AI、芯片及半导体产业的长期布局产生深刻影响。一方面，DRAM的持续紧缺将激励HBM供应商（如SK海力士、三星、美光）加快先进封装产能的扩张，并推动HBM4等新标准产品的研发提前。根据Gartner2026年第一季度发布的半导体预测报告，2025年全球HBM市场规模约为150亿美元，该机构预测到2028年HBM市场有望突破300亿美元，复合年增长率达约19%。 另一方面，NAND Flash供给宽松的局面，可能促使数据中心和AI基础设施运营商调整存储架构，更多采用分层存储策略（即用大容量且成本更低的NAND Flash来替代部分HDD，同时保留高价DRAM用于计算节点）。这一策略转变可能利好SSD控制器芯片设计企业，并加速QLC（四层单元）NAND Flash在企业级市场的渗透。据Yole Intelligence2026年发布的存储器技术路线图，QLC NAND Flash在企业级SSD市场的渗透率预计将从2025年的22%上升至2027年的35%以上。

数据参考

• WSTS（2025年发布）：2024年全球DRAM市场规模约980亿美元，同比增长约62%；预测2025年增长约25%。
• SEMI（2025年发布）：预测2026年全球半导体设备总支出首次突破1200亿美元，存储器领域设备投资占比接近40%。
• IDC（2025年第四季度发布）：2025年全球NAND Flash出货容量预计增长约18%，需求端增长约12%。
• Gartner（2026年第一季度预测）：2025年全球HBM市场规模约150亿美元，预测2028年突破300亿美元，复合年增长率约19%。
• Yole Intelligence（2026年发布）：预测QLC NAND Flash在企业级SSD市场渗透率从2025年22%升至2027年35%以上。 #AI #DRAM #NAND #半导体