高测股份碳化硅扩产:第三代半导体产业链的又一关键棋局
扩产信号与行业背景 2026年7月29日,据东方财富消息,高测股份在碳化硅(SiC)领域释放了扩产信号。
扩产信号与行业背景
2026年7月29日,据东方财富消息,高测股份在碳化硅(SiC)领域释放了扩产信号。尽管具体扩产规模、投资金额及产能目标尚未在公开摘要中披露,但这一动向已引发市场对第三代半导体供应链布局的关注。碳化硅作为宽禁带半导体材料,在高温、高压、高频场景下性能优于传统硅基器件,是新能源汽车、光伏逆变器及快充系统的核心材料。 从行业背景看,碳化硅衬底市场的供需矛盾正持续加剧。根据Yole Group在2025年的预测数据,全球碳化硅功率器件市场规模预计在2027年突破60亿美元,其中新能源汽车和能源基础设施是主要驱动力。高测股份的主营业务覆盖光伏切割设备及耗材,其向碳化硅切割设备及配套服务的延伸,可能意味着公司试图将自身在硅片切割领域的技术积累迁移至更广阔的第三代半导体赛道。这一扩产行动的具体时间节点与产能规划仍有待进一步确认。
AI算力与芯片能效的双重驱动
碳化硅扩产的背后,AI算力需求的激增正在间接推动半导体材料升级。AI数据中心中的高功率电源模块和冷却系统对能效要求极高,而碳化硅器件在开关损耗和热管理方面的表现优于传统硅基器件。据国际能源署(IEA)2026年估算数据,全球数据中心用电量在2025年已占约1%的总电力消耗,其中约30%用于散热;若采用碳化硅基电源管理芯片,整体能效可提升15%至20%。 此外,芯片制造端对端生态的演进也需要材料协同。高测股份的碳化硅扩产,可能服务于下游芯片厂商对衬底加工质量和一致性的需求。当前,6英寸碳化硅衬底是主流量产规格,而8英寸衬底的研发正在加速推进。根据SEMI在2025年发布的报告,全球6英寸碳化硅衬底出货量在2024年达到约120万片,预计2026年将增至180万片。高测股份的扩产动作若能聚焦于更先进的切割技术或衬底加工工艺,有望缓解产业链中游的供给瓶颈。
产业链竞争格局与潜在影响
在碳化硅产业链中,衬底和切割设备环节的竞争格局高度集中。Wolfspeed、意法半导体等国际巨头已宣布大规模扩产计划,而国内企业如天岳先进、天科合达等也在加速产能爬坡。高测股份的介入可能带来差异化优势——其切入点是切割设备与耗材,而非直接生产衬底。这一策略有助于降低资本开支门槛,同时避免与现有衬底厂商的直接竞争。 值得关注的是,碳化硅切割环节的良率和效率直接影响衬底成本。据行业公开数据,碳化硅衬底在晶体生长和切割阶段的良率通常低于50%,这是限制其大规模商用化的核心痛点。若高测股份能通过扩产提升切割设备的加工精度和产能,可能对整体产业链成本下降产生积极影响。不过,其具体技术路线、设备规格及市场定位目前均处于待确认状态,后续业绩表现需持续跟踪财报和行业报告。
数据参考
- 全球碳化硅功率器件市场规模预计在2027年突破60亿美元,来源:Yole Group,2025年预测。
- 全球6英寸碳化硅衬底出货量在2024年约120万片,预计2026年增至180万片,来源:SEMI,2025年报告。
- 2025年全球数据中心用电量约占1%总电力消耗,其中约30%用于散热,碳化硅基电源芯片可提升能效15%至20%,来源:国际能源署(IEA),2026年估算。 #高测股份 #碳化硅 #第三代半导体 #半导体