薄膜铌酸锂光芯片赛道升温,铌奥光电完成B轮融资加码AI光互联
在AI算力集群对高速互连需求持续攀升的背景下,光芯片作为突破传统电互连瓶颈的关键环节,正受到产业资本越来越多的关注。
在AI算力集群对高速互连需求持续攀升的背景下,光芯片作为突破传统电互连瓶颈的关键环节,正受到产业资本越来越多的关注。近日,据电子工程专辑消息,铌奥光电宣布完成数亿元B轮融资,资金将重点投向薄膜铌酸锂光芯片的大规模量产以及面向AI光互联场景的应用拓展。该轮融资的具体投资方及交易结构尚待进一步披露。
融资背景:AI集群互联催生新一代光芯片需求
随着大模型训练和推理任务对分布式算力集群的依赖加深,GPU或AI加速卡之间的数据交换速率正成为系统整体性能的隐形天花板。传统基于磷化铟或硅光方案的互连芯片在带宽密度和功耗效率上面临物理极限,而薄膜铌酸锂材料凭借其优异的电光效应和高带宽调制能力,被视为下一代高速光模块核心器件的候选方案之一。铌奥光电本次融资所瞄准的“AI光互联应用”,正是这一技术路线与产业需求交汇的典型场景。 行业背景数据可供参考:根据LightCounting在2025年发布的预测,全球光收发模块市场规模预计在2026年将达到约200亿美元,其中面向AI和数据中心场景的高速产品占比将持续提升。此外,Yole Group在2024年的报告指出,薄膜铌酸锂调制器市场仍处于早期商业化阶段,但预计到2028年其市场规模可能突破5亿美元,年复合增长率有望超过60%。这些预测数据仅用于说明行业趋势,并非本次新闻中公布的内容。
量产推进:从实验室到规模化供应的关键跨越
薄膜铌酸锂光芯片此前的主要挑战在于制造工艺的成熟度和良率控制。铌酸锂薄膜的晶圆键合、微纳波导刻蚀以及端面耦合等环节均需要高精度工艺积累,这也决定了该技术从样品到量产之间存在较大鸿沟。铌奥光电此次将“大规模量产”列为融资核心用途之一,表明公司可能已初步打通了关键工艺节点,但其具体产能规划、产品良率及客户验证进展暂缺可核验数据。 参照行业共性经验,光芯片企业在从中小批量转向大规模交付时,通常需要解决设备投入、封装测试以及供应链稳定性等多维度问题。值得关注的是,国内已有多家机构在薄膜铌酸锂领域展开布局,但能够实现批量供货的企业仍然有限。铌奥光电的量产进度能否在2026年形成实际出货,有待其后续官方信息进一步确认。
产业视角:国产光互连供应链的补位机会
当前,全球AI集群互连市场仍高度集中于少数海外供应商。根据市场研究机构Dell'Oro Group在2025年发布的统计,2024年全球数据中心以太网光模块出货量中,前三大厂商合计占据超过60%的份额。在此背景下,国内企业对薄膜铌酸锂光芯片的投入,可能有助于在高端互连环节提升自主可控能力。不过,技术替代和市场导入仍需时间和实际性能验证,其对现有格局的实际影响可能在未来1至3年逐步显现。 从资本市场的动向来看,光电子器件赛道在2025年至2026年间持续获得融资关注,尤其在AI算力基础设施建设高峰期,光互连作为“卖水人”角色受到逆向青睐。铌奥光电本轮融资的完成,可能进一步带动资本对该细分赛道的关注度,但行业内企业间的技术路线分化以及商业化节奏差异,仍构成重要的不确定因素。
数据参考
- 全球光收发模块市场预测规模:约200亿美元(LightCounting,2025年预测,针对2026年)。
- 薄膜铌酸锂调制器市场预测规模:可能突破5亿美元,年复合增长率或超60%(Yole Group,2024年预测,针对2028年)。
- 2024年全球数据中心以太网光模块出货量中,前三大厂商合计份额:超过60%(Dell'Oro Group,2025年发布)。
- 本次新闻已确认数据:铌奥光电完成B轮融资,金额为数亿元级别,资金用于薄膜铌酸锂光芯片量产及AI光互联应用(来源:电子工程专辑,2026年8月7日)。其余产业影响均为基于公开背景的推断。 #AI光互联 #薄膜铌酸锂 #光芯片 #算力基础设施