兴业投行重申“买入”评级，腾达科技SiC布局受关注

评级背后的第三代半导体赛道热度

兴业投行近期发布研究报告，维持对腾达科技的“买入”评级，并将目标价设定为6.32令吉。该报告由KLSE Screener平台于2026年8月7日发布，是市场对这家涉足半导体材料领域企业的最新观察。尽管报告未在摘要中披露详细估值模型，但“买入”评级本身传递出机构对其业务前景的正面判断。 腾达科技所处的第三代半导体赛道，当前正处于全球产业扩张的关键周期。以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，因其在高电压、高频率场景下的优异性能，正在新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等领域加速渗透。兴业投行此次维持评级，可能与该赛道中长期需求韧性有关，但具体逻辑有待报告全文确认。 从产业链位置看，SiC衬底和外延片的生产技术壁垒极高，全球市场长期由少数国际巨头主导。腾达科技若在该环节有所布局，其估值逻辑或将受益于国产替代进程。不过，本次新闻未明确提及腾达科技具体的SiC业务规模、产能规划或客户结构，这些关键变量的实际影响有待进一步确认。

全球SiC市场增长与竞争格局

行业研究机构TrendForce集邦咨询的公开预测显示，全球SiC功率器件市场规模预计将在2025年突破50亿美元，2023年至2025年的年复合增长率可能维持在30%以上。另一家机构Yole Développement的估算亦指出，到2028年SiC器件市场规模将超过89亿美元，其中电动汽车主逆变器将是最大应用领域。 这一增长动能主要来自下游需求的结构性变化。新能源汽车800V高压平台的普及，使得SiC MOSFET相较传统硅基IGBT在开关损耗、耐压能力和散热表现上具备显著优势。同时，AI数据中心的高功率电源模块也开始尝试采用SiC器件以提升能效比，这为市场提供了额外的增量空间。 竞争层面，国际厂商如Wolfspeed、意法半导体、英飞凌等仍在扩大8英寸SiC晶圆产能，而国内企业则在6英寸产线上加速追赶。SEMI（国际半导体产业协会）发布的行业统计显示，2025年全球SiC晶圆（含导电型和半绝缘型）出货面积可能达到约500万平方英寸，其中导电型衬底占比超过七成。腾达科技若切入这一供应链，其面临的既有机会也有挑战。

投资评级与产业趋势的关联解读

兴业投行给予6.32令吉的目标价，较当前股价的具体溢价幅度暂缺可核验数据，但评级本身与机构对行业景气周期的判断通常高度相关。值得注意的是，2026年正值全球半导体资本开支回升周期，多家分析机构在此之前已提示SiC产能可能从结构性紧缺转向供需平衡，价格战风险不容忽视。 对于腾达科技而言，投资者更应关注其技术迭代能力与客户认证进度。SiC衬底制造涉及长晶、切割、研磨、抛光等多道复杂工序，良率提升需要长期工艺积累。若公司能获得车规级或工规级客户的长期供货协议，则评级维持的支撑力将更加扎实；反之，若仅停留在试验阶段，市场可能重新评估其成长性。 综合来看，本次兴业投行的评级动作可以视为对腾达科技基本面的一次中性偏正面背书。但投资者在参考目标价时，需结合公司后续披露的季度营收、毛利率及在手订单数据加以验证。第三代半导体的投资逻辑最终要落到业绩兑现上，而非单纯的概念催化。

数据参考

以下为本篇报道引用的行业背景参考数据，均来自公开机构发布，供读者对照核实：

• 全球SiC功率器件市场规模：TrendForce集邦咨询预测2025年超过50亿美元，2023至2025年复合增长率超30%（预测值，非本次新闻数据）。
• 全球SiC器件市场规模：Yole Développement估算2028年超89亿美元，电动汽车主逆变器为最大应用（预测值，非本次新闻数据）。
• 全球SiC晶圆出货面积：SEMI统计2025年可能约500万平方英寸，导电型衬底占比超70%（估算值，非本次新闻数据）。
• 腾达科技目标价：6.32令吉，评级“买入”，由兴业投行于2026年8月7日发布（本次新闻已确认数据）。 #第三代半导体 #SiC #兴业投行 #腾达科技