第三代半导体热度不减:超26亿资金涌入SiC赛道,两大项目同步推进
SiC项目投资潮涌,产业资本加速布局 据电子工程专辑8月11日报道,国内又有两家企业宣布投建碳化硅(SiC)相关项目,合计投资金额超过26亿元人民币。
SiC项目投资潮涌,产业资本加速布局
据电子工程专辑8月11日报道,国内又有两家企业宣布投建碳化硅(SiC)相关项目,合计投资金额超过26亿元人民币。这一消息再次印证了第三代半导体赛道的高景气度。尽管报道未披露两家企业的具体名称与项目细节,但26亿元级别的资本开支在SiC领域属于中等偏上规模,可能涵盖从衬底、外延片到器件封装等不同环节的产能扩张。 本次新闻已确认信息仅为“两家企业投建SiC项目”以及“合计投资超26亿元”,具体项目地点、建设周期、技术路线及预期产能均有待进一步确认。在第三代半导体国产化替代的大背景下,此类投资热潮并非孤例。据SEMI(国际半导体产业协会)2025年发布的数据,全球SiC衬底材料市场规模预计在2026年将达到约30亿美元,年复合增长率约为20%,其中新能源车与光伏逆变器是需求增长的核心驱动力。
从材料到器件,SiC产业链为何持续升温
碳化硅器件凭借高耐压、低损耗、耐高温等物理特性,正在快速渗透至800V高压平台电动汽车、充电桩、光伏及储能系统等对能源转换效率有极高要求的场景。与传统的硅基IGBT相比,SiC MOSFET在开关损耗和导通损耗方面的优势明显,这直接推动了整车续航里程与充电速度的改善。本次两家企业的投资行为,可能正是看中了这一替代逻辑在中长期内带来的确定性需求。 值得关注的是,SiC产业链的资本密集属性决定了其“烧钱”周期较长。从粉料合成到长晶、切片再到器件封装,每一环节的良率爬坡都需要持续资金投入。根据TrendForce集邦咨询在2026年初的估算,到2027年全球SiC功率器件市场规模有望突破100亿美元,其中车规级应用占比将超过七成。在这一背景下,26亿元的项目投资能否形成有效产能并顺利通过车规认证,仍存在不确定性,实际产出时间与良率表现有待产业链跟踪验证。
行业竞争加剧,技术迭代与成本下降成关键
随着国内多家厂商在6英寸导电型SiC衬底领域实现批量供货,以及8英寸产线的逐步导入,SiC器件的单位成本正呈现下降趋势。据WSTS(世界半导体贸易统计组织)2025年统计,全球功率半导体市场中,第三代半导体(以SiC和GaN为代表)的占比已从2020年的不足2%提升至2025年的约7%,预计2030年将进一步达到15%左右。这一数据反映出市场结构正在发生实质性迁移。 对于本次投建项目的两家企业而言,面临的不仅是技术验证的挑战,还有来自国际巨头如意法半导体、英飞凌以及国内头部厂商的价格竞争。目前,SiC器件价格仍显著高于硅基同类产品,但价差正在以每年约10%至15%的速度收窄,这一趋势可能加速下游客户的导入意愿。不过,需要强调的是,这些价格变化趋势属于行业背景参考数据,并非本次新闻披露的项目专项信息。具体项目的设备选型、客户锁定及量产时间表,仍需以企业官方公告为准。
产业协同与资本生态,SiC投资进入深水区
第三代半导体作为国家战略性新兴产业,其发展不仅依赖单一企业的设备投入,更考验上下游协同能力。从上游的衬底材料、中游的芯片制造到下游的应用方案,SiC产业链的国产化率正在提升,但高端环节(如车规级器件可靠性验证、长晶设备核心部件)仍存在短板。本次超26亿元的项目投资,若涉及全链条布局,可能对区域产业集群形成更显著的带动效应;若仅聚焦于单一环节,则需审慎评估其在整体价值链中的竞争位置。 从资本生态来看,过去三年国内SiC一级市场融资事件数量保持高位。尽管具体融资金额难以核实,但多家头部企业已累计获得数亿元至数十亿元不等的多轮融资。资本的热捧推动了产能规划的前置,但也带来了结构性过剩的风险。据中国半导体行业协会(CSIA)2026年中期报告,国内在建及规划中的SiC产能若全部释放,可能出现阶段性供过于求,届时价格战或将加速行业洗牌。因此,本次26亿元项目能否在2027至2028年的量产窗口期精准对接真实需求,将成为决定投资回报率的关键变量。
数据参考
以下为本文引用的行业背景数据及其来源,请注意与本次新闻已确认的“超26亿元投资”区分:
- 全球SiC衬底材料市场规模:预计2026年约30亿美元,年复合增长率约20%,来源:SEMI,2025年。
- 全球SiC功率器件市场规模:预计2027年突破100亿美元,车规级应用占比超70%,来源:TrendForce集邦咨询,2026年估算。
- 第三代半导体占全球功率半导体市场比例:从2020年不足2%提升至2025年约7%,预计2030年达约15%,来源:WSTS,2025年统计及预测。
- SiC器件与硅基器件价差年收窄幅度:约10%至15%,来源:行业公开分析,2024-2025年。
- 国内SiC在建产能潜在过剩风险:存在阶段性供过于求可能,来源:中国半导体行业协会,2026年中期报告。 本文中未能从公开渠道核实的精确数据(如具体项目产能、企业名称、投产日期)均以“有待进一步确认”标注,不构成投资建议。 #SiC #第三代半导体 #功率器件 #半导体