第三代半导体 2026-08-13 11:35

800V平台催动碳化硅赛道升温,国产厂商在TOP10榜单中占据八席

随着新能源汽车向更高电压平台演进,碳化硅(SiC)功率器件的市场需求正迎来一轮结构性增长。

随着新能源汽车向更高电压平台演进,碳化硅(SiC)功率器件的市场需求正迎来一轮结构性增长。近日,一份关于碳化硅厂商排名的行业资讯显示,在800V高压平台快速上量的背景下,全球碳化硅TOP10厂商中,国产厂商已拿下八个席位。这一来自新浪网的报道,折射出国产第三代半导体在车规级应用领域的快速崛起。不过,该排名所依据的具体统计口径、统计周期及各家厂商的营收或出货量数据,在本次新闻中暂缺可核验数据,有待进一步确认。

800V平台成为碳化硅需求放量的关键推手

800V高压平台之所以被视为碳化硅产业加速的“催化剂”,与其在电动汽车续航补能效率上的显著优势密切相关。相比传统的400V平台,800V架构能有效降低线束损耗、提升充电功率,并缩短充电时间。据TrendForce集邦咨询此前的预测,2025年全球SiC功率器件市场规模有望达到数十亿美元级别,而800V车型的渗透率提升正是主要增长动力之一。本次新闻标题所提到的“快速上量”,可能指代的是2026年以来主流车企在新车型中加速导入800V架构的趋势,这一判断有待产业链出货数据的进一步验证。 值得注意的是,碳化硅器件在800V系统中并非唯一可选方案,氮化镓(GaN)和硅基IGBT在部分场景下仍具成本优势。但碳化硅凭借更高的击穿电场强度和耐高温特性,在电驱逆变器、车载充电机(OBC)及直流快充桩等核心环节,目前仍被认为是最契合高压平台的功率半导体方案。国产厂商能在全球前十中占据八席,或与国内新能源车企对本土供应链的倾斜支持,以及国产SiC衬底和外延片成本下降有关,但具体关联度需结合各厂商财报和客户公告进行研判。

国产厂商领跑榜单,但高端环节仍存挑战

本次新闻确认的信息仅包括“TOP10厂商中国产占八席”这一事实。至于这八家厂商的具体名称、排名顺序以及各家市占率,报道并未披露。根据行业公开资料,国内碳化硅领域活跃的企业包括天岳先进、天科合达、三安光电、斯达半导、时代电气等,但上述公司是否悉数进入该榜单,以及其具体份额,均需以该排名发布机构的原始报告为准。若无官方文件佐证,市场不应将“八席”简单解读为国产厂商在技术或利润层面已完全超越国际巨头。 从产业链分工看,碳化硅价值量最高的环节集中于导电型衬底和高质量外延片。据CASA Research(中国宽禁带半导体产业联盟)2025年发布的数据,国产6英寸导电型SiC衬底的市场价格已较2023年有明显下降,部分报价降幅可能超过三成;然而在8英寸衬底的缺陷密度控制和车规级可靠性验证方面,国内厂商与国际领先水平仍存在差距。因此,本次排名更多反映出的是国产厂商在出货规模或客户覆盖面上的突破,而非全产业链技术实力的绝对领先。

产能扩张与资本开支竞赛或将重塑竞争格局

“TOP10国产占八席”的另一层产业背景,是近年来国内碳化硅领域的大规模扩产行动。据公开信息,三安光电、天岳先进等企业均曾在2024至2025年间宣布了数十亿元级别的SiC项目投资计划,涉及从长晶、衬底加工到器件封测的一体化产能建设。SEMI(国际半导体产业协会)在2025年发布的预测报告中曾估算,全球SiC衬底材料市场在2026至2028年间可能保持年均超过20%的复合增长率,其中中国大陆新增产能的贡献率可能位居前列。这些资本开支能否按期转化为有效良率下的出货量,仍存在不确定性。 然而,扩产潮也带来了价格与盈利能力的双重压力。行业背景数据显示,用于新能源汽车主驱逆变器的1200V SiC MOSFET模块,其单价在过去两年间已出现明显下滑趋势,部分国产模组报价较2023年高点可能下降40%至50%。这种价格战有利于800V平台在入门级车型中的普及,但也可能挤压中小厂商的利润空间,促使行业从“拼产能”转向“拼良率”和“拼可靠性”。对于“八席”中的国产品牌而言,如何在产能释放期保持毛利率稳定,将是未来12至18个月的关键考验。

数据参考

以下为本文涉及的行业背景参考数据,均与本次新闻直接确认信息(“800V平台快速上量”“TOP10厂商国产占八席”)无关,请勿视为新闻附带数据:

  • TrendForce集邦咨询(2025年预测):全球SiC功率器件市场规模预计在2025年达数十亿美元级别,主要驱动来自电动汽车用主驱逆变器;该数据为预测值。来源:TrendForce年报/季度跟踪报告。
  • CASA Research(2025年发布):国产6英寸导电型SiC衬底价格较2023年明显下降,部分报价降幅可能超三成。来源:中国宽禁带半导体产业联盟年度市场报告。
  • SEMI(2025年预测):2026至2028年间全球SiC衬底材料市场复合年增长率可能超过20%,中国大陆新增产能贡献率可能居前。来源:SEMI全球半导体材料市场预测。
  • 行业公开技术讨论(2023至2025年):1200V SiC MOSFET模块单价较2023年高点可能下降40%至50%,该区间为行业访谈与拆解报告综合估算,暂缺统一权威数据源。来源:多个券商研报及行业会议纪要,非单一可核验机构数据。 #碳化硅 #800V平台 #第三代半导体 #功率器件