爱仕特完成数亿元融资，总部与新SiC产线落地杭州

融资落地：第三代半导体赛道再受资本青睐

近日，国内第三代半导体领域企业爱仕特宣布获得数亿元融资，并将公司总部及新的SiC（碳化硅）产线正式落地杭州。该消息由电子工程专辑发布，引发行业对碳化硅产业链本土化进程的再度聚焦。此次融资的具体金额、投资方构成及股权比例暂未披露，有待进一步确认，但“数亿元”的量级表明资本对该赛道的中长期前景仍持积极态度。 从产业背景看，碳化硅功率器件作为新能源车、光伏逆变器及高端电源的核心部件，近年来需求持续攀升。根据法国市场研究机构Yole的估算，全球SiC功率器件市场规模在2025年已突破30亿美元，并有望在2028年前后接近50亿美元，年复合增长率超过15%。这一背景下，爱仕特将新产线落址杭州，或意在依托长三角地区成熟的半导体配套与人才生态，加快产能建设与客户验证节奏。 值得关注的是，杭州及浙江周边已聚集了从衬底、外延到器件封装的多个第三代半导体项目。爱仕特总部搬迁与产线落地，使其在供应链协同与政策支持方面可能获得区位优势。但具体产线产能、量产节点及工艺制程（如6英寸或8英寸）等关键参数，目前公司尚未公开，相关信息仍需以官方后续发布为准。

SiC产线背后：新能源与AI算力需求的双重驱动

爱仕特此次新SiC产线的投建规划，所处的市场窗口颇为微妙。一方面，新能源汽车主驱逆变器对SiC MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的渗透率正在快速提升。根据英国研究机构TrendForce集邦咨询的预测，到2026年全球新能源汽车市场对SiC功率器件的需求将占该领域总需求的六成以上，较2023年约四成的占比显著上升。这为本土SiC器件厂商提供了规模化替代的机遇。 另一方面，AI算力基础设施的扩张正在催生对高效电源转换方案的新需求。数据中心服务器电源、HVDC（高压直流）供电系统以及不间断电源（UPS）中，碳化硅器件因其在高频、高压下的低损耗特性，被视为提升系统整体能效的关键路径之一。行业分析人士认为，随着AI芯片功耗持续攀升，从数百瓦向千瓦级演进，电源模块对SiC器件的采用率可能在未来几年内出现明显增长。不过，AI服务器中SiC方案当前实际渗透率及替代速度仍处于早期阶段，相关数据暂缺可核验的公开统计。 从竞争格局看，国际大厂如意法半导体、英飞凌等仍占据全球SiC市场的主导份额，但国内企业正通过融资扩产加速追赶。爱仕特本轮融资若顺利转化为有效产能，将有助于其在车规级与工业级市场打开局面。不过，SiC产线从建设到良率爬坡通常需要较长时间，资本开支强度大，实际产出效益需要时间的验证。

总部迁移与产线建设的战略意义

将总部与新产线一并落地杭州，对爱仕特而言不仅是物理位置的变更，更可能是其资本运作与业务架构的一次整合。杭州作为数字经济与创新活力较强的城市，在半导体设计、软件算法及高端人才引进方面具有一定吸引力。而近期浙江多地出台的集成电路产业扶持政策，也可能为落户企业提供设备补贴或研发资助，但爱仕特具体能获得何种地方支持，尚需官方披露。 从行业角度看，此次事件折射出第三代半导体赛道从“概念热”向“产能实”的转变。过去两年间，国内涌现出多个SiC项目，但真正的车规级批量供货能力仍然稀缺。根据SEMI（国际半导体产业协会）的数据，2025年中国大陆半导体设备支出预计超过300亿美元，其中功率及化合物半导体相关产线投资占比逐年上升。爱仕特将产线落地，顺应了这一资本开支向实际制造环节倾斜的趋势。 需要提醒的是，SiC赛道竞争已进入白热化阶段。同行业公司如天科合达、山东天岳等在上游衬底环节亦有大额资本开支计划。对于爱仕特而言，融资落地解决了前期资金问题，但后续如何控制成本、提升良率并获取长期订单，才是决定其市场地位的关键。这些不确定因素，使其未来表现仍需以公司公布的运营数据为准。

数据参考

• 本次新闻已确认数据：爱仕特获得数亿元融资；总部及新SiC产线落地杭州。具体金额与产线参数暂缺可核验数据。
• 行业背景参考数据：
• 2025年全球SiC功率器件市场规模超30亿美元，2028年有望接近50亿美元（Yole，年份为估算，2025年数据为实际统计，2028年为预测）。
• 2026年全球新能源车对SiC器件需求占比将超60%，2023年约为四成（TrendForce集邦咨询，预测数据）。
• 2025年中国大陆半导体设备支出预计超300亿美元（SEMI，预测数据）。
• 以上数据均为行业参考，并非爱仕特本次新闻公布内容。 #第三代半导体 #碳化硅 #SiC产线 #融资