多家GaN企业披露新合作，AIDC与第三代半导体融合加速

GaN厂商集体宣布合作动向，聚焦AIDC等前沿领域

近日，5家氮化镓（GaN）企业陆续披露了最新合作进展，合作领域涉及AI数据中心（AIDC）等新兴方向。据《电子工程专辑》报道，这些企业来自国内第三代半导体产业链的不同环节，涵盖衬底材料、器件设计与晶圆代工。尽管各方均未透露具体的交易金额或技术参数细节，但集中披露的动作本身，已释放出GaN技术加速向AI基础设施渗透的明确信号。 在目前的行业语境下，AIDC是指专门服务于AI训练与推理的高功率密度数据中心，其对电源效率与热管理性能要求远超传统数据中心。GaN器件因其高频、高效、耐高压的特性，被视为替代传统硅基功率器件的重要选项。此次多家企业同时宣布合作，可能预示着GaN在AIDC领域将从“技术验证阶段”迈入“规模导入阶段”。

第三代半导体与AI算力基础设施的深层耦合

从产业背景看，AI大模型训练产生的算力需求激增，正在倒逼数据中心电源体系全面升级。据市场研究机构Yole Group于2025年发布的报告，全球GaN功率器件市场规模预计将在2028年达到28亿美元，2024-2028年的年复合增长率约为42%。其中，数据中心电源是增长最快的应用细分领域之一，增速可能超过消费电子快充市场。 值得关注的是，此次合作披露涉及AIDC电源模块、GaN-on-Si衬底以及高可靠性封装等环节。由于AIDC系统对功率密度要求极高，传统硅基MOSFET在48V至60V母线电压下，转换效率已接近理论瓶颈。而GaN器件在此电压区间可以大幅降低传导与开关损耗，从而提升整体电源效率至98%以上。这一优势在单机柜功率突破100kW的AI数据中心中尤为突出，但上述具体效率数据暂未在本次新闻中获得各家企业确认，仍需等待后续技术白皮书披露。 从供应链角度分析，此次合作可能涉及国内数家已实现GaN外延片和器件量产的企业。据SEMI于2025年发布的《功率化合物半导体年度报告》，2025年全球GaN-on-Si衬底出货量已达到约120万片（折合6英寸当量），其中中国大陆企业贡献了约35%的份额。本次新闻中，多家企业的合作内容均提及“产能协同”与“联合开发”，这或反映出行业正尝试通过上下游绑定来降低进入AIDC市场的门槛。

合作模式与产业影响尚需进一步观察

尽管合作协议具体条款未公开，但从公开披露的初步信息来看，合作模式主要分为三类：一是衬底企业与器件企业签订长期供应协议，保障GaN外延片质量稳定；二是设计公司与代工厂联合开发针对AIDC应用场景的专用GaN功率模块；三是多家企业共同参与终端客户的定制化电源方案验证。这些动作表明，GaN产业链正在从“通用器件销售”向“应用场景定制化”转型。 需要指出的是，本次新闻中并未提供任何具体的合作金额、采购数量或产品型号。对于GaN器件是否能真正满足AIDC的长期可靠性要求——例如在200°C以上的结温环境下持续工作上万小时——产业界仍存争议。据安森美2025年第四季度财报电话会议披露的数据，该公司在工业级GaN器件上的累计测试时长已超过200万小时，但该数据来源于一家海外头部企业，国内厂商在此方面的公开测试数据目前暂缺可核验数据。 从更宏观的视角观察，此次5家企业集中披露合作，可能与近期国家层面支持第三代半导体材料应用的产业政策有关。2025年，工信部等四部门联合印发了《功率半导体产业高质量发展行动方案》，其中明确将GaN和SiC在数据中心、新能源汽车、智能电网等领域的规模化应用列为重点方向。虽然该政策背景信息并非本次新闻直接披露，但可以合理推测，政策导向可能加速了相关合作的促成。

数据参考

• 全球GaN功率器件市场规模：Yole Group预计2028年将达到28亿美元，2024-2028年CAGR约为42%。来源：Yole Group《GaN Power 2025》，2025年发布。
• 全球GaN-on-Si衬底出货量：2025年约120万片（折合6英寸当量），中国大陆企业占比约35%。来源：SEMI《功率化合物半导体年度报告》，2025年发布。
• 安森美工业级GaN器件累计测试时长：超过200万小时。来源：安森美2025年第四季度财报电话会议。
• 《功率半导体产业高质量发展行动方案》：由工信部等四部门于2025年联合印发。该文件为公开政策文件，可查阅相关政策原文。 #第三代半导体 #GaN #AIDC #功率器件