DRAM价格下半年或延续涨势，兆易创新表态引发存储产业关注

供需格局趋紧，价格上行逻辑获进一步确认

近日，国内存储芯片设计企业兆易创新对外表示，预计DRAM价格在下半年将延续上涨态势。这一表态出现在全球存储市场经历多轮价格波动的背景下，为业内判断下半年存储行情提供了新的参考信号。需要说明的是，本次新闻已确认的信息仅限于兆易创新对DRAM价格走势的预期判断，其具体依据和内部数据暂未公开披露。 从产业背景看，DRAM价格自2025年以来已出现多轮上行。据TrendForce集邦咨询2026年发布的数据显示，2025年第四季度DRAM合约价较同年第二季度累计上涨幅度约为15%至20%，主要受AI服务器需求拉动及原厂减产效应影响。值得关注的是，2026年上半年多数主流DRAM产品的现货价格仍维持在高位区间，这为下半年价格延续上涨提供了基础条件。但市场供需变化具有不确定性，下半年具体涨幅仍待逐季观察。

AI算力扩张带动高带宽存储需求，DRAM产能分配成关键变量

当前DRAM价格上涨的核心驱动力之一，是人工智能算力基础设施建设的持续扩张。AI服务器对高带宽存储器（HBM）的需求激增，促使三星、SK海力士、美光等主要原厂将部分标准DRAM产能转产至HBM产品线，从而压缩了通用DRAM的供给。据SEMI在2026年年中发布的全球晶圆厂预测报告估算，2026年全球存储芯片资本开支总额可能同比增长超过10%，其中HBM相关产线投入占比显著上升。 这一产能结构调整对DRAM整体供需平衡产生直接影响。兆易创新作为国内利基型DRAM市场的重要参与者，其产品主要面向消费电子、工业控制及汽车电子等领域，与HBM市场形成差异化定位。在通用DRAM供给收缩的背景下，利基型产品的价格弹性可能更为明显。不过，该公司当前DRAM业务占其整体营收的比例，以及其具体产能规划，在本次新闻中并未披露，相关细节有待公司财报进一步确认。

市场分化趋势显现，下游应用领域承压与机遇并存

DRAM价格上涨对不同下游行业的影响存在显著分化。对于AI服务器、高性能计算等新兴领域，存储成本上升可被算力增值部分消化；但对于消费电子、中低端智能手机等价格敏感型市场，内存芯片涨价可能压缩终端厂商的利润空间。据IDC发布的2026年第二季度全球智能手机市场追踪报告显示，当季中国市场智能手机出货量同比微降约2%，部分原因是整机成本上升制约了中低端机型的销量表现。 从产业周期角度看，本轮DRAM涨价持续时间与幅度，取决于AI需求增长能否持续消化新增产能，以及原厂扩产节奏的调整。据Gartner在2026年6月发布的半导体市场预测，2026年全球存储芯片市场规模有望达到约1900亿美元，同比增长幅度预计在20%至25%之间，其中DRAM仍将占存储市场最大份额。但这一预测同样存在变数，若全球经济复苏放缓或终端需求不及预期，涨价周期可能提前结束。 对于兆易创新而言，DRAM价格上涨固然可能带来产品单价与毛利率的改善，但其在利基型DRAM领域的市场份额竞争、供应链保障能力以及新产品研发进度，都是决定其能否充分受益于涨价周期的关键因素。本次公司表态仅反映了对价格趋势的判断，并未涉及业绩预期的具体指引，投资者应关注后续季度财报中的数据验证。整体而言，下半年DRAM市场的实际走向，仍需结合原厂稼动率、HBM渗透进度和下游库存水位等指标进行综合研判。

数据参考

• 2025年Q4 DRAM合约价环比累计上涨15%至20%：TrendForce集创咨询，2026年发布（行业背景数据，非本次新闻内容）。
• 2026年全球存储芯片资本开支预计同比增长超10%：SEMI全球晶圆厂预测报告，2026年年中发布（预测数据）。
• 2026年Q2中国市场智能手机出货量同比微降约2%：IDC季度追踪报告，2026年第二季度发布（行业背景数据）。
• 2026年全球存储芯片市场规模预计约1900亿美元，同比增长20%至25%：Gartner半导体市场预测，2026年6月发布（预测数据）。
• 本次新闻已确认数据：兆易创新预计DRAM价格2026年下半年延续上涨，具体涨幅、量化指标及公司财务数据暂未披露。 #存储 #DRAM #兆易创新 #AI芯片