Coherent推出300mm高导热SiC衬底样品，散热性能提升或达25%

大尺寸衬底的新进展

功率半导体与化合物半导体领域近日传来新动向。据凤凰网科技报道，Coherent公司已开始出样300mm（12英寸）高导热碳化硅（SiC）衬底，并称其散热性能较常规产品提升多达25%。这一消息之所以受到行业关注，是因为目前SiC衬底的主流产线仍以150mm（6英寸）为主，200mm（8英寸）正处于大规模导入阶段，而300mm样品的出现，可能预示着产业链对下一代降本增效路径的提前布局。 需要明确的是，此次新闻中已确认的信息仅限于“Coherent出样300mm高导热SiC衬底”以及“散热性能提升多达25%”这两项。至于该产品的具体导热系数数值、量产时间表、目标客户以及价格定位，新闻中并未披露，有待公司后续进一步公布。从产业角度看，衬底尺寸的增大是降低单位芯片成本的核心路径之一，但300mm SiC衬底在晶体生长、切割加工和翘曲控制上的难度，与硅基300mm晶圆不可同日而语，其良率与成本表现仍属未知数。

散热性能提升的产业意义

SiC器件在高电压、大电流场景中具备显著优势，但其自身发热问题一直制约着功率密度的进一步提升。尤其在电动汽车主驱逆变器、光伏逆变器和高压直流输电等应用中，模块的散热能力直接决定了系统可靠性与使用寿命。Coherent此次宣称的25%散热性能改善，若能在量产产品中复现，将有助于器件在同等封装体积下承载更高电流，或在不牺牲性能的前提下缩小散热模组体积。 然而，这25%的性能提升是基于实验室测试还是工程样品实测，新闻并未说明。行业背景参考数据显示，根据Yole Group 2024年的报告，全球SiC功率器件市场规模在2023年约为23亿美元，并预测到2029年将增长至近100亿美元，年复合增长率超过25%。在此背景下，衬底材料的热管理改进可能成为差异化竞争的重要突破口，但Coherent的样品能否转化为实际市场竞争力，还需结合后续的可靠性验证和客户导入结果来判断。

对行业竞争格局的可能影响

当前SiC衬底市场呈现高度集中态势。根据TrendForce集邦咨询2025年的统计，Wolfspeed、Coherent和II-VI（现Coherent旗下）曾长期占据导电型SiC衬底市场的大部分份额，但近年来中国厂商如天岳先进、天科合达等也在快速追赶。Coherent此次推出300mm样品，可能意在巩固其在高性能衬底领域的技术领先地位，并对竞争对手形成“下一代尺寸”的心理预期压力。 不过，SiC衬底产业向更大尺寸迁移的节奏并不完全取决于单家厂商的技术能力。关键制约因素包括长晶炉的温场均匀性、切片工艺的损耗率以及后端外延设备的兼容性。SEMI在2025年度的全球晶圆厂预测报告中曾指出，未来三年内SiC晶圆厂产能预计将以年均约20%的速度扩张，但其中主要增量仍集中于200mm产线。因此，300mm SiC衬底的商业化导入窗口，可能比市场预期更长，Coherent此次出样更多是技术储备的展示，而非短期量产的信号。

数据参考

• 本次新闻已确认数据：Coherent出样300mm高导热SiC衬底；散热性能提升多达25%（来源：凤凰网科技，2026年8月24日）。
• 行业背景参考数据：全球SiC功率器件市场规模2023年约23亿美元，预计2029年增至近100亿美元，2023-2029年年复合增长率超25%（来源：Yole Group，2024年）。
• 行业背景参考数据：全球SiC晶圆厂产能未来三年年均增速预计约20%，主要增量集中于200mm产线（来源：SEMI全球晶圆厂预测报告，2025年）。
• 行业背景参考数据：导电型SiC衬底市场长期由Wolfspeed、Coherent等少数厂商主导，但中国厂商市场份额正在上升，具体份额数据暂缺可核验的公开精确数字（来源：TrendForce集思广议，2025年，趋势性描述）。 #SiC #Coherent #功率半导体 #衬底材料