SiC融资热度持续：6起交易合计超5.5亿元，碳化硅赛道加速分化

交易概览：6起融资聚焦产业链关键环节

据《电子工程专辑》报道，截至2026年8月26日，碳化硅（SiC）领域新增6起融资事件，合计金额超过5.5亿元人民币。本次报道仅确认交易总数与总金额区间，未披露单笔交易细节及具体投资方名单，相关企业名称、融资轮次与估值数据暂缺可核验信息。 从碳化硅产业链结构观察，SiC产业通常分为衬底制备、外延生长、器件设计与制造、模块封装四大环节。当前融资热度集中释放于材料端与器件端，可能反映资本正在向价值链两端倾斜——上游材料决定成本与良率，下游器件决定性能与量产能力。考虑到5.5亿元规模在SiC行业中属于中等偏上水平，本次6起交易或呈现“小步快跑”特征，即多家企业并行推进早期轮次，而非单笔巨额融资主导局面。

产业背景：SiC需求爆发与供给瓶颈并存

碳化硅功率器件在新能源汽车、光伏逆变器、高压充电桩和工业电源等场景中具备显著效率优势。根据Yole Group发布的《Power SiC 2025》报告预测，全球SiC功率器件市场规模将从2024年的约18亿美元增长至2029年的近60亿美元，年均复合增长率接近27%。这一增速远超整体功率半导体市场约6%至8%的平均水平。 值得关注的是，SiC衬底成本目前仍占器件总成本约40%至50%，其中8英寸衬底的量产进度直接决定行业降本曲线。SEMI在2025年全球半导体材料报告中指出，SiC衬底材料市场在2024年实现约11亿美元收入，预计2025年增长25%以上。但8英寸SiC衬底在全球范围内的良率爬坡仍处于早期阶段，主流供应商仍在6英寸产线上维持主力出货。本次融资中有多少比例流向衬底与外延环节，有待进一步确认。 从需求端看，中国新能源汽车2025年全年产量突破1400万辆，其中800V高压平台车型渗透率已超过12%，这直接拉动了对SiC MOSFET器件的需求。TrendForce集邦咨询的测算显示，单台800V纯电驱动系统平均需要约60至80颗SiC MOSFET芯片，这意味着每百万辆高压车型将创造约6000万至8000万颗芯片的需求空间。当前中国SiC产业链在衬底产能上已具备全球竞争力，但在高端器件设计和车规级可靠性验证方面仍存在差距。

投资方向研判：产能扩张与技术差异化并行

本次新增的6起融资，可能集中指向三个方向：其一，6英寸至8英寸产线扩产，以满足车规客户对供应稳定性的要求；其二，沟槽型SiC MOSFET结构开发，以降低导通电阻并提升开关频率；其三，模块级封装与热管理方案，解决大功率应用中的散热瓶颈。需要强调的是，上述方向仅为基于行业趋势的合理推测，并非本次新闻披露的确认信息。 从竞争格局观察，全球SiC功率器件市场目前由意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆等国际厂商主导，前五大厂商合计份额超过75%（依据Yole Group 2025年数据）。国内企业如天科合达、山东天岳、斯达半导、基本半导体等已在衬底或器件环节取得突破，但市场份额仍相对分散。本次融资若流向国内企业，或有助于加速车规级验证与产线升级，但产业整合仍需时间，短期格局不会发生剧烈变化。 需要审慎指出的是，SiC行业历史上曾经历多轮“融资热—扩产潮—价格战”循环。2023年全球SiC衬底价格同比下跌约30%，2024年再降15%至20%，这既是良率提升的成果，也反映出供给增速快于需求增速。因此，本次合计超5.5亿元的融资规模在行业总盘子中占比较小，其对市场供需平衡的实际影响仍有待观察。投资者与产业界应关注融资完成后的产能利用率、客户导入进度和实际出货量验证，而非简单将融资视作行业过热的信号。

数据参考

本次新闻已确认数据：2026年8月26日报道，SiC领域新增6起融资事件，合计金额超过5.5亿元人民币（来源：《电子工程专辑》）。 行业背景参考数据（均非本次新闻新发布数据）：

• 全球SiC功率器件市场规模预测：2024年约18亿美元，2029年预计接近60亿美元，年均复合增速约27%（来源：Yole Group，《Power SiC 2025》报告，预测数据）。
• SiC衬底材料市场收入：2024年约11亿美元，2025年预计增长25%以上（来源：SEMI《2025年全球半导体材料报告》，估算数据）。
• 全球SiC功率器件前五大厂商合计市场份额超过75%（来源：Yole Group，2025年数据）。
• SiC衬底成本占器件总成本比例约40%至50%（来源：行业公开分析，2024年测算）。
• 2023年SiC衬底价格同比下跌约30%，2024年再降15%至20%（来源：TrendForce集邦咨询及行业公开报告）。 #碳化硅 #SiC #功率半导体 #融资