# 日本半导体材料商发布12英寸SiC衬底,第三代半导体大尺寸化再进一步
## 大尺寸SiC衬底再迎突破 据东方财富发布的信息,日本半导体材料商推出12英寸SiC衬底。
## 大尺寸SiC衬底再迎突破 据东方财富发布的信息,日本半导体材料商推出12英寸SiC衬底。这是本次新闻已确认的核心事实。新闻未披露该衬底的具体技术参数、量产时间表、客户名单及交易金额,相关细节有待进一步确认。 碳化硅(SiC)作为第三代半导体代表性材料,具有耐高压、耐高温、低损耗等特性,长期被视为功率器件升级的关键路径。衬底尺寸从6英寸向8英寸、12英寸演进,是行业降低单位芯片成本的主要方向之一。 需要说明的是,本次新闻仅确认“12