# 通富微电称已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP技术,先进封装竞争升温
## 高密度存储封装再获进展 通富微电于9月11日就高密度存储封装话题作出回应,表示公司已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP(Package on Package,叠层封装)等技术。
## 高密度存储封装再获进展 通富微电于9月11日就高密度存储封装话题作出回应,表示公司已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP(Package on Package,叠层封装)等技术。该消息由证券之星报道,属于公司新闻层面的一次技术能力确认。 从已确认信息看,此次回应聚焦“高密度存储封装”,涉及的两项技术分别为3D NAND多芯片堆叠与PoP。这二者均属于先进封装范畴:前者指向存储裸片在垂直方向上的堆叠集成,后者则常用于将逻辑芯片与存储